爱科赛博跌6.52% 2023年上市即巅峰超募9.4亿
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      国轩高科表示,公司首条(tiáo )全固态中(zhōng )试线已正(zhèng )式贯通,金石全固(gù )态电池PACK系(xì )统已完成(chéng )初步开发(fā )应用工作(zuò ),并开启(qǐ )装车路测(cè )。并且,近期清陶在(zài )成都基地(dì )15GWh固态电池(chí )已收到环(huán )评审批意(yì )见,此外(wài ),德尔股(gǔ )份及冠盛(shèng )股份等均(jun1 )有固态电池(chí )量产线推(tuī )进计划。

      近日(rì ),上交所公告,上海超导科技股份有限公司科创板IPO获受理(lǐ ),公司计(jì )划募资12亿(yì )元。招股(gǔ )书显示,上海超导(dǎo )是一家专(zhuān )注于高温(wēn )超导材料(liào )研发、生(shēng )产和销售(shòu )的高新技(jì )术企业,是(shì )全球领先(xiān )的高温超(chāo )导材料生(shēng )产商之一(yī )。同日,证监会发(fā )布《关于(yú )在科创板(bǎn )设置科创成(chéng )长层,增(zēng )强制度包(bāo )容性适应(yīng )性的意见》。其中提出,设置科创板科创成长层。

      根(gēn )据高工锂(lǐ )电,2025年1-4月(yuè ),国内固(gù )态电池行(háng )业的扩产(chǎn )规划规模(mó )超过50GWh,拟(nǐ )投资总额(é )约150亿元。申万宏源(yuán )证券电新(xīn )团队认为,考虑到目(mù )前国内首(shǒu )条0.1GWh干法电(diàn )极产线已(yǐ )正式投入(rù )运营,同(tóng )时行业内(nèi )诸多厂商(shāng )纷纷聚焦硫(liú )化物技术(shù )路线,看(kàn )好干法设(shè )备和硫化物电解质是全固态电池的核心增量。

      市调机(jī )构集邦科(kē )技表示,三星持续(xù )减少DDR4供应(yīng ),预期DDR4供(gòng )不应求情(qíng )况可能延(yán )续到今年(nián )第3季度,随着DDR4价格(gé )上涨,将(jiāng )加速用户升(shēng )级至DDR5。据(jù )集邦科技(jì )调查,DDR4现(xiàn )货价大幅(fú )扬升,6月(yuè )以来DDR4 8Gb颗粒(lì )现货均价(jià )自2.73美元,攀高至4.28美元(yuán ),上涨逾(yú )5成;DDR4 16Gb颗粒(lì )现货均价(jià )自6.1美元,扬升至9.5美元,涨幅也达5成以上。

      这一战略性(xìng )新兴产业(yè )迎来规模(mó )化发展的(de )关键窗口(kǒu )期

      机(jī )构称政策(cè )加速推进(jìn )下固态电(diàn )池正进入(rù )从0到1阶段(duàn )

      全球(qiú )首例!我国(guó )介入式脑(nǎo )机接口成(chéng )功实现人(rén )体患肢运(yùn )动功能修(xiū )复

      全(quán )球首例!我国介入式脑机接口(kǒu )成功实现(xiàn )人体患肢(zhī )运动功能(néng )修复

      相较于硅基半导体,以碳化硅和氮化镓为代表的(de )宽禁带半(bàn )导体在材(cái )料端至器(qì )件端的性(xìng )能优势突(tū )出,具备(bèi )高频、高(gāo )效、高功(gōng )率、耐高(gāo )压、耐高(gāo )温等特点,是未来半(bàn )导体行业(yè )发展的重(chóng )要方向。其中,碳(tàn )化硅的高(gāo )禁带宽度(dù )、高击穿(chuān )电场强度、高电子饱(bǎo )和漂移速(sù )率和高热(rè )导率等特(tè )性,使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用(yòng )。碳化硅(guī )材料在功(gōng )率半导体(tǐ )器件、射(shè )频半导体(tǐ )器件及新(xīn )兴应用领(lǐng )域具有广(guǎng )阔的市场(chǎng )应用潜力(lì )。光大证券(quàn )指出,随(suí )着AI数据中(zhōng )心、AR眼镜(jìng )等行业的(de )增长,碳(tàn )化硅行业(yè )将随之快(kuài )速增长。国内碳化硅衬底企业(yè )持续投资(zī )扩张产能(néng ),有望持(chí )续扩大市场份额。

  • 强力的爱
  • 2025-12-19

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  这一战略性(xìng )新兴产业(yè )迎来规模(mó )化发展的(de )关键窗口(kǒu )期

  机(jī )构称政策(cè )加速推进(jìn )下固态电(diàn )池正进入(rù )从0到1阶段(duàn )

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  相较于硅基半导体,以碳化硅和氮化镓为代表的(de )宽禁带半(bàn )导体在材(cái )料端至器(qì )件端的性(xìng )能优势突(tū )出,具备(bèi )高频、高(gāo )效、高功(gōng )率、耐高(gāo )压、耐高(gāo )温等特点,是未来半(bàn )导体行业(yè )发展的重(chóng )要方向。其中,碳(tàn )化硅的高(gāo )禁带宽度(dù )、高击穿(chuān )电场强度、高电子饱(bǎo )和漂移速(sù )率和高热(rè )导率等特(tè )性,使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用(yòng )。碳化硅(guī )材料在功(gōng )率半导体(tǐ )器件、射(shè )频半导体(tǐ )器件及新(xīn )兴应用领(lǐng )域具有广(guǎng )阔的市场(chǎng )应用潜力(lì )。光大证券(quàn )指出,随(suí )着AI数据中(zhōng )心、AR眼镜(jìng )等行业的(de )增长,碳(tàn )化硅行业(yè )将随之快(kuài )速增长。国内碳化硅衬底企业(yè )持续投资(zī )扩张产能(néng ),有望持(chí )续扩大市场份额。

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