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　　媒体报(bào )道(dào )，近期，多家企业陆(lù )续披露了其在固态电池(chí )领(lǐng )域的最新进展和量(liàng )产(chǎn )时间。业界认为，凭(píng )借高能量密度、高(gāo )安全(quán )性和快速充电能力(lì )，固态电池有望成为(wéi )下(xià )一代电池的主流技术(shù )路线(xiàn )之一。随着技术研(yán )发(fā )与成本瓶颈不断突(tū )破(pò )，固态电池的产业(yè )化进(jìn )程正在加速，未(wèi )来有(yǒu )望在低空经济、机(jī )器(qì )人、新能源汽车等多(duō )重场景得到广泛应用。

　　据报道，曾经的(de )“航天专属”，现在(zài )变(biàn )成了“民品神器”，碳(tàn )纤维材料应用场景(jǐng )不(bú )断拓展，也给更多(duō )行(háng )业带来了新机遇。一(yī )台电(diàn )动垂直升降飞行器(qì )，机身材料超70%用的是(shì )碳(tàn )纤维复合材料，航(háng )程可(kě )以增加15%到20%。预计(jì )到2030年(nián )，电动垂直起降飞(fēi )行(háng )器领域对碳纤维的(de )需(xū )求将增至1.17万吨，形成超(chāo )百(bǎi )亿级的新兴市场。

　　据报道，近日，诺(nuò )天碳化硅半导体设(shè )备与(yǔ )基材生产基地项目(mù )投(tóu )产仪式举行。上述(shù )项(xiàng )目总投资约1.5亿元，于(yú )2024年2月(yuè )签约落户株洲高新(xīn )区(qū )，项目主要生产碳(tàn )化(huà )硅半导体设备与基(jī )材，产品广泛应用于(yú )碳化(huà )硅单晶生长与衬底(dǐ )制(zhì )造、半导体材料石(shí )墨(mò )化纯化处理、先进陶瓷(cí )与(yǔ )复合材料研发、光(guāng )伏(fú )、锂电领域高温烧(shāo )结(jié )等。

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　　根据CFM闪存市(shì )场(chǎng )报道，现货旧制程(chéng )DRAM资(zī )源供应缺货涨价延续(xù )，存(cún )储厂商针对渠道内(nèi )存(cún )条、行业内存条及(jí )LPDDR4X等(děng )产品现货价格坚定(dìng )持报(bào )涨态度。甬兴证(zhèng )券研(yán )报称，受益于供应(yīng )端(duān )推动涨价、库存逐(zhú )渐(jiàn )回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需(xū )求(qiú )上升，产业链有望(wàng )探(tàn )底回升。

　　上市(shì )公(gōng )司中，南芯科技是(shì )电源(yuán )及电池领域可提供(gòng )端(duān )到端完整解决方案(àn )的(de )稀缺性标的，公司收(shōu )入规(guī )模位居国内模拟芯(xīn )片(piàn )设计公司前列，且(qiě )以(yǐ )消费类产品为稳定(dìng )盈利(lì )基石。近年来，公司(sī )在深耕智能手机等(děng )原(yuán )有竞争优势的同时(shí )积(jī )极拓宽产品能力边界，向(xiàng )汽车、AI服务器等领(lǐng )域(yù )拓展，挖掘增长新(xīn )动(dòng )能。公司正在布局(jú )AI电源(yuán )相关产品。公司在(zài )储(chǔ )能、光伏、通信等(děng )领(lǐng )域推出多款充电芯片(piàn )，同(tóng )时布局机器人、Alpower等(děng )新(xīn )兴领域，积极拓展(zhǎn )工(gōng )业应用市场。天德(dé )钰2024年(nián )多款显示驱动芯(xīn )片新(xīn )产品量产，通过新(xīn )技(jì )术提高产品竞争力(lì )。2024年相继量产了手机全高(gāo )清(qīng )显示触控产品、平(píng )板(bǎn )类显示触控产品、穿(chuān )戴类AMOLED手表产品，以(yǐ )及下(xià )沉式显示触控产品(pǐn )和(hé )高分辨率穿戴类产(chǎn )品(pǐn )。新相微在新产品布(bù )局方面，公司应用于智(zhì )能(néng )手机的AMOLED显示驱动芯(xīn )片(piàn )、触控芯片、应用(yòng )于车载显示和电视等(děng )领域(yù )的时序控制芯片以(yǐ )及(jí )应用于AR眼镜的微显(xiǎn )示(shì )相关产品等新产品已陆续(xù )开发并将逐步导入(rù )市(shì )场。

　　国轩高科(kē )：金石全固态电池PACK系(xì )统已(yǐ )开启装车路测

　　相(xiàng )较于硅基半导体，以(yǐ )碳化硅和氮化镓为代(dài )表的宽禁带半导体在材(cái )料(liào )端至器件端的性能(néng )优(yōu )势突出，具备高频(pín )、高效、高功率、耐(nài )高压(yā )、耐高温等特点，是(shì )未来半导体行业发(fā )展(zhǎn )的重要方向。其中，碳化(huà )硅的高禁带宽度、高(gāo )击穿电场强度、高(gāo )电(diàn )子饱和漂移速率和(hé )高热(rè )导率等特性，使其在(zài )电力电子器件等应(yīng )用(yòng )中发挥着至关重要的(de )作用。碳化硅材料在功(gōng )率(lǜ )半导体器件、射频(pín )半(bàn )导体器件及新兴应(yīng )用领域具有广阔的市(shì )场应(yīng )用潜力。光大证券(quàn )指(zhǐ )出，随着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行业的增长，碳化(huà )硅行业将随之快速(sù )增(zēng )长。国内碳化硅衬(chèn )底(dǐ )企业持续投资扩张(zhāng )产能(néng )，有望持续扩大市场(chǎng )份额。

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