和黄医药拉升涨近10%,和黄医药和信达生物联合宣布,联合治疗晚期肾细胞癌新药上市申请获药监局受理
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      机构称三星减少(shǎo )DDR4供应(yīng ),DDR4可能供不应求(qiú )到第3季度

      市调机(jī )构集邦科技(jì )表示,三星持续(xù )减少(shǎo )DDR4供应,预期(qī )DDR4供不(bú )应求情况可(kě )能延续到今年第(dì )3季度(dù ),随着DDR4价格上涨(zhǎng ),将加速用(yòng )户升级至(zhì )DDR5。据集(jí )邦科(kē )技调查,DDR4现货价(jià )大幅扬升,6月以来DDR4 8Gb颗(kē )粒现货均价(jià )自2.73美元,攀高至(zhì )4.28美元(yuán ),上涨逾5成(chéng );DDR4 16Gb颗(kē )粒现货均价(jià )自6.1美元,扬升至(zhì )9.5美元(yuán ),涨幅也达5成以(yǐ )上。

      根据CFM闪存市(shì )场报道,现(xiàn )货旧制程DRAM资源供(gòng )应缺(quē )货涨价延续(xù ),存(cún )储厂商针对(duì )渠道内存条、行(háng )业内(nèi )存条及LPDDR4X等产品现(xiàn )货价格坚定(dìng )持报涨态(tài )度。甬(yǒng )兴证(zhèng )券研报称,受益(yì )于供应端推动涨价、库存逐渐回(huí )归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需(xū )求上升,产(chǎn )业链(liàn )有望探底回(huí )升。

      相较于(yú )硅基(jī )半导体,以碳化(huà )硅和氮化镓为代表的(de )宽禁带半导(dǎo )体在材料端至器(qì )件端(duān )的性能优势(shì )突出(chū ),具备高频(pín )、高效、高功率(lǜ )、耐(nài )高压、耐高温等(děng )特点,是未(wèi )来半导体(tǐ )行业发(fā )展的(de )重要方向。其中(zhōng ),碳化硅的高禁带宽(kuān )度、高击穿(chuān )电场强度、高电(diàn )子饱(bǎo )和漂移速率(lǜ )和高(gāo )热导率等特(tè )性,使其在电力(lì )电子(zǐ )器件等应用中发(fā )挥着至关重要的作用(yòng )。碳化硅材(cái )料在功率半导体(tǐ )器件(jiàn )、射频半导(dǎo )体器(qì )件及新兴应(yīng )用领域具有广阔(kuò )的市(shì )场应用潜力。光(guāng )大证券指出(chū ),随着AI数(shù )据中心(xīn )、AR眼(yǎn )镜等行业的增长(zhǎng ),碳化硅行业将随之(zhī )快速增长。国内碳化硅衬底(dǐ )企业(yè )持续投资扩(kuò )张产(chǎn )能,有望持(chí )续扩大市场份额(é )。

      该国宣布将这(zhè )一金属出口临时禁令(lìng )再延长三个(gè )月

      上海超导(dǎo )科创(chuàng )板IPO获受理,拟募(mù )资12亿元

      据报道,近日,诺天(tiān )碳化硅半导体设(shè )备与基材生(shēng )产基地项(xiàng )目投产仪式(shì )举行。上述项目(mù )总投资约1.5亿元,于2024年(nián )2月签约落户(hù )株洲高新区,项(xiàng )目主(zhǔ )要生产碳化硅半(bàn )导体设备与(yǔ )基材,产品广泛(fàn )应用(yòng )于碳化硅单晶生(shēng )长与衬底制造、半导(dǎo )体材料石墨(mò )化纯化处理、先(xiān )进陶(táo )瓷与复合材(cái )料研(yán )发、光伏、锂电领域高温烧(shāo )结等(děng )。

      行业媒体(tǐ )报道,三星(xīng )SDI正在天安(ān )工厂建设的(de )试验生产线“DryEV”上启动基于干法(fǎ )电极(jí )的电池验证(zhèng )工作,公司此前(qián )已完(wán )成实验室性能测(cè )试。三星SDI正(zhèng )在考虑将干法电(diàn )极技(jì )术应用于全固态(tài )电池,计划将其作为(wéi )降低制造成(chéng )本、提升设备效(xiào )率和(hé )量产速度的(de )竞争(zhēng )手段。

  • 重口激情
  • 2026-01-07

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  相较于(yú )硅基(jī )半导体,以碳化(huà )硅和氮化镓为代表的(de )宽禁带半导(dǎo )体在材料端至器(qì )件端(duān )的性能优势(shì )突出(chū ),具备高频(pín )、高效、高功率(lǜ )、耐(nài )高压、耐高温等(děng )特点,是未(wèi )来半导体(tǐ )行业发(fā )展的(de )重要方向。其中(zhōng ),碳化硅的高禁带宽(kuān )度、高击穿(chuān )电场强度、高电(diàn )子饱(bǎo )和漂移速率(lǜ )和高(gāo )热导率等特(tè )性,使其在电力(lì )电子(zǐ )器件等应用中发(fā )挥着至关重要的作用(yòng )。碳化硅材(cái )料在功率半导体(tǐ )器件(jiàn )、射频半导(dǎo )体器(qì )件及新兴应(yīng )用领域具有广阔(kuò )的市(shì )场应用潜力。光(guāng )大证券指出(chū ),随着AI数(shù )据中心(xīn )、AR眼(yǎn )镜等行业的增长(zhǎng ),碳化硅行业将随之(zhī )快速增长。国内碳化硅衬底(dǐ )企业(yè )持续投资扩(kuò )张产(chǎn )能,有望持(chí )续扩大市场份额(é )。

  该国宣布将这(zhè )一金属出口临时禁令(lìng )再延长三个(gè )月

  上海超导(dǎo )科创(chuàng )板IPO获受理,拟募(mù )资12亿元

  据报道,近日,诺天(tiān )碳化硅半导体设(shè )备与基材生(shēng )产基地项(xiàng )目投产仪式(shì )举行。上述项目(mù )总投资约1.5亿元,于2024年(nián )2月签约落户(hù )株洲高新区,项(xiàng )目主(zhǔ )要生产碳化硅半(bàn )导体设备与(yǔ )基材,产品广泛(fàn )应用(yòng )于碳化硅单晶生(shēng )长与衬底制造、半导(dǎo )体材料石墨(mò )化纯化处理、先(xiān )进陶(táo )瓷与复合材(cái )料研(yán )发、光伏、锂电领域高温烧(shāo )结等(děng )。

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