抗议蔓延至多地!美国防长称可能向任何城市派遣军队
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      全球首例(lì )!我(wǒ )国介(jiè )入式(shì )脑机(jī )接口(kǒu )成功(gōng )实现(xiàn )人体(tǐ )患肢(zhī )运动(dòng )功能修复

      根据高工锂电,2025年1-4月,国(guó )内固(gù )态电(diàn )池行(háng )业的(de )扩产(chǎn )规划(huá )规模(mó )超过(guò )50GWh,拟(nǐ )投资(zī )总额(é )约150亿元。申万宏源证券电新团队认为,考虑到目前国内首条0.1GWh干法电极产线已(yǐ )正式(shì )投入(rù )运营,同时行业内诸多厂商纷纷聚焦硫化物技术路线,看好干(gàn )法设(shè )备和(hé )硫化(huà )物电(diàn )解质(zhì )是全(quán )固态(tài )电池(chí )的核(hé )心增量。

      公司方面,德明利主营业务及(jí )技术(shù )布局(jú )主要(yào )集中(zhōng )于通(tōng )用型(xíng )存储(chǔ )芯片(piàn )及解(jiě )决方(fāng )案的(de )研发与产业化,包括但不限于DDR、LPDDR、SSD等产品方向。好上好目前销售的存储芯片(piàn )主要(yào )有晶(jīng )豪(ESMT)、复旦微、Giantec(聚辰)、GigaDevice (兆易创新)、Giantec(聚辰)、ISSI、江波龙(Longsys)、Renesas-Adesto、芯天下(XTX)、得一(yī )微 (YEESTOR)等(děng )品牌(pái )的DRAM、eMMC、FLASH等(děng )存储(chǔ )器。

      得益(yì )于政策利好与技术突破的双轮驱动,未来3年(nián )至5年(nián ),脑(nǎo )机接(jiē )口医(yī )疗产(chǎn )品有(yǒu )望迎(yíng )来爆(bào )发期(qī )。太(tài )平洋(yáng )证券分析指出,脑机接口技术近年来从实验室研究大步迈向市场应用,展现(xiàn )出蓬(péng )勃发(fā )展态势。当下,侵入式和非侵入式产品研发均有序推进。尽管(guǎn )该技(jì )术仍(réng )处于(yú )早期(qī )发展(zhǎn )阶段(duàn ),但(dàn )研发(fā )和应(yīng )用潜力巨大;随着技术的迭代和伦理规范的(de )健全(quán )完善(shàn ),脑(nǎo )机接(jiē )口有(yǒu )望让(ràng )科技(jì )之光(guāng )加速(sù )照进(jìn )现实(shí )。

      近期,科创板连续受理3家公司,支持鼓励鼓励“硬科技”企业。高温(wēn )超导(dǎo )材料(liào )正是当前新材料产业的前沿方向,而基于超导磁体的磁约束聚(jù )变技(jì )术最(zuì )具工(gōng )程化(huà )潜力(lì )。上(shàng )半年(nián )来,我国(guó )可控核聚变领域进展不断。华泰证券发布研(yán )报称(chēng ),可(kě )控核(hé )聚变(biàn )正从(cóng )短期(qī )主题(tí )投资(zī )变成(chéng )长期(qī )产业投资,预计未来几年全球每年有约2~3个核聚变装置建设投产,行业加速从0到1,产业(yè )链招标和订单有望迎来持续催化。

      相较于硅基半导体,以碳化(huà )硅和(hé )氮化(huà )镓为(wéi )代表(biǎo )的宽(kuān )禁带(dài )半导(dǎo )体在(zài )材料(liào )端至器件端的性能优势突出,具备高频、高(gāo )效、高功(gōng )率、耐高(gāo )压、耐高(gāo )温等(děng )特点(diǎn ),是(shì )未来(lái )半导体行业发展的重要方向。其中,碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度(dù )、高(gāo )电子(zǐ )饱和漂移速率和高热导率等特性,使其在电力电子器件等应用中发(fā )挥着(zhe )至关(guān )重要(yào )的作(zuò )用。碳化(huà )硅材(cái )料在(zài )功率(lǜ )半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领(lǐng )域具(jù )有广(guǎng )阔的(de )市场(chǎng )应用(yòng )潜力(lì )。光(guāng )大证(zhèng )券指(zhǐ )出,随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长,碳化硅行业将随之快速增长。国内碳化(huà )硅衬(chèn )底企(qǐ )业持续投资扩张产能,有望持续扩大市场份额。

  • 日韩舞玛
  • 2026-01-07

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  相较于硅基半导体,以碳化(huà )硅和(hé )氮化(huà )镓为(wéi )代表(biǎo )的宽(kuān )禁带(dài )半导(dǎo )体在(zài )材料(liào )端至器件端的性能优势突出,具备高频、高(gāo )效、高功(gōng )率、耐高(gāo )压、耐高(gāo )温等(děng )特点(diǎn ),是(shì )未来(lái )半导体行业发展的重要方向。其中,碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度(dù )、高(gāo )电子(zǐ )饱和漂移速率和高热导率等特性,使其在电力电子器件等应用中发(fā )挥着(zhe )至关(guān )重要(yào )的作(zuò )用。碳化(huà )硅材(cái )料在(zài )功率(lǜ )半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领(lǐng )域具(jù )有广(guǎng )阔的(de )市场(chǎng )应用(yòng )潜力(lì )。光(guāng )大证(zhèng )券指(zhǐ )出,随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长,碳化硅行业将随之快速增长。国内碳化(huà )硅衬(chèn )底企(qǐ )业持续投资扩张产能,有望持续扩大市场份额。

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