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　　上海证券研(yán )报指出，2025年4月全球半导体销售额实现同比环(huán )比双增长；SIA总(zǒng )裁兼首席执行(háng )官JohnNeuffer表示：“4月(yuè )份的全球半导体销售额在2025年首次出现环比增(zēng )长，在美洲和(hé )亚太地区销售(shòu )额增加的推动(dòng )下，全球市场(chǎng )继续实现同比增长。与此同时，在对人工智(zhì )能、云基础设(shè )施和先进消费(fèi )电子产品的需(xū )求推动下，新(xīn )的WSTS行业预测表明，2025年全球市场将稳步增长。”上海证券认(rèn )为，电子半导(dǎo )体2025年或正在迎(yíng )来全面复苏，产业竞争格局有望加速出清修(xiū )复，产业盈利(lì )周期和相关公(gōng )司利润有望持(chí )续复苏。

　　上市公司中，天岳先进碳化硅衬底可广泛应(yīng )用于电动汽车(chē )、AI数据中心、光伏系统、AI眼(yǎn )镜、轨道交通(tōng )、电网、家电及先进通信基站等领域。公司(sī )已跻身为国际(jì )知名半导体公(gōng )司的重要供应(yīng )商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。芯联集成8英寸(cùn )碳化硅产线顺(shùn )利推进中，相(xiàng )关产品已陆续(xù )通过相关验证，预计下半年开始量产。英诺(nuò )激光依托固体(tǐ )及超快激光器(qì )优势，主要布(bù )局消费电子、3D打印、生物医疗、光伏、Micro LED、半导体等行业。在半导体领域(yù )提供的主要产(chǎn )品为碳化硅退(tuì )火制程的激光器，客户以国外知名半导体装备公司为主。

　　市调机构(gòu )集邦科技表示(shì )，三星持续减(jiǎn )少DDR4供应，预期DDR4供不应求情况可能延续到今年(nián )第3季度，随着(zhe )DDR4价格上涨，将(jiāng )加速用户升级(jí )至DDR5。据集邦科(kē )技调查，DDR4现货价大幅扬升，6月以来DDR4 8Gb颗粒现货(huò )均价自2.73美元，攀高至4.28美元，上涨逾5成；DDR4 16Gb颗(kē )粒现货均价自6.1美元，扬升至9.5美元，涨幅也达5成以上。

　　媒体报道，近(jìn )日，半导体个(gè )股密集获连续(xù )上调评级。据统计，截至6月18日，在评级机构(gòu )家数5家及以上(shàng )的个股中，以(yǐ )机构一致评级(jí )连续3个月环比(bǐ )提升，最新评级较3个月前提升幅度超6%为条件(jiàn )进行统计，21股(gǔ )浮出水面。从(cóng )21只潜力股所处(chù )行业分布来看，半导体行业个股相对较多，盛科通信-U、清(qīng )溢光电、思瑞(ruì )浦、汇顶科技(jì )机构一致评级(jí )连续3个月环比提升且最新一致评级较3月前提(tí )升幅度超6%。

　　上市公司中(zhōng )，赢合科技已(yǐ )经研发并推出(chū )了全新的固态干法电极生产设备，这些设备(bèi )已经成功发货(huò )并部署到客户(hù )的现场。科力(lì )远配合下游生产合作商开展干发电极的技术开发，目前干(gàn )法电极的开发(fā )工作已完成阶(jiē )段性的成功，将配合下游生产合作商推进下一步的实验工(gōng )作。宏工科技(jì )与深圳清研电(diàn )子科技有限公(gōng )司达成战略合(hé )作，对“干法电极”前段工序技术进行产业(yè )化、规模化攻(gōng )关，专注于核(hé )心部件的生产(chǎn )工艺和成(台)套设备的协同研发，共同推进干法电极前段工(gōng )序的研发与市(shì )场应用。固态(tài )电池被视为最(zuì )具潜力的下一代锂电池技术，2024年公司与多家(jiā )客户签订了数(shù )千万元的产线(xiàn )及设备订单。

　　AI算力需求(qiú )拉动下该细分领域有望加速发展

　　根据高(gāo )工锂电，2025年1-4月(yuè )，国内固态电(diàn )池行业的扩产(chǎn )规划规模超过50GWh，拟投资总额约150亿元。申万宏源证券电新团(tuán )队认为，考虑(lǜ )到目前国内首(shǒu )条0.1GWh干法电极产(chǎn )线已正式投入运营，同时行业内诸多厂商纷(fēn )纷聚焦硫化物(wù )技术路线，看(kàn )好干法设备和(hé )硫化物电解质(zhì )是全固态电池的核心增量。

　　上海超导科(kē )创板IPO获受理，拟募资12亿元

　　相较于硅基(jī )半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在材料(liào )端至器件端的(de )性能优势突出(chū )，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是(shì )未来半导体行(háng )业发展的重要(yào )方向。其中，碳化硅的高禁(jìn )带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移(yí )速率和高热导(dǎo )率等特性，使(shǐ )其在电力电子(zǐ )器件等应用中发挥着至关重要的作用。碳化硅材料在功率(lǜ )半导体器件、射频半导体器(qì )件及新兴应用(yòng )领域具有广阔的市场应用潜力。光大证券指(zhǐ )出，随着AI数据(jù )中心、AR眼镜等(děng )行业的增长，碳化硅行业将(jiāng )随之快速增长。国内碳化硅衬底企业持续投(tóu )资扩张产能，有望持续扩大(dà )市场份额。

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