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　　相较于硅基半导体，以碳化硅和氮(dàn )化镓为(wéi )代表的宽禁带(dài )半导体(tǐ )在材料(liào )端至器(qì )件端的(de )性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压(yā )、耐高(gāo )温等特(tè )点，是(shì )未来半(bàn )导体行(háng )业发展(zhǎn )的重要(yào )方向。其中，碳化硅的高禁带宽度、高击穿(chuān )电场强(qiáng )度、高电子饱(bǎo )和漂移(yí )速率和(hé )高热导(dǎo )率等特(tè )性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至(zhì )关重要(yào )的作用(yòng )。碳化(huà )硅材料(liào )在功率(lǜ )半导体(tǐ )器件、射频半导体器件及新兴应用领域具有广阔的(de )市场应(yīng )用潜力(lì )。光大(dà )证券指(zhǐ )出，随(suí )着AI数据(jù )中心、AR眼镜等(děng )行业的增长，碳化硅行业将随之快速(sù )增长。国内碳(tàn )化硅衬底企业(yè )持续投(tóu )资扩张(zhāng )产能，有望持(chí )续扩大市场份额。

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