香港特区政府教育局:由于天气恶劣,香港所有下午校稳赢要闻今日下午停课!香港天文台发出黄色暴雨警告信号
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      据报(bào )道,近日,诺天碳(tàn )化硅半导体(tǐ )设备与(yǔ )基材生产基(jī )地项目(mù )投产仪式举(jǔ )行。上(shàng )述项(xiàng )目总投(tóu )资约1.5亿(yì )元,于2024年2月(yuè )签约落(luò )户株洲高新(xīn )区,项目主要生产(chǎn )碳化硅半导体设备(bèi )与基材,产品广泛(fàn )应用于碳化硅单晶(jīng )生长与衬底制(zhì )造、半导体材料石(shí )墨化纯化处理、先(xiān )进陶瓷与复合材料(liào )研发、光伏(fú )、锂电(diàn )领域高温烧(shāo )结等。

      近期,科创板(bǎn )连续受理3家(jiā )公司,支持鼓励鼓(gǔ )励“硬(yìng )科技(jì )”企业(yè )。高温(wēn )超导(dǎo )材料正(zhèng )是当前(qián )新材(cái )料产业(yè )的前沿方向,而基(jī )于超导磁体的磁约(yuē )束聚变技术最具工(gōng )程化潜力。上半年(nián )来,我国可控(kòng )核聚变领域进展不(bú )断。华泰证券发布(bù )研报称,可控核聚(jù )变正从短期(qī )主题投(tóu )资变成长期(qī )产业投(tóu )资,预计未(wèi )来几年(nián )全球每年有(yǒu )约2~3个核(hé )聚变装置建(jiàn )设投产(chǎn ),行(háng )业加速(sù )从0到1,产业(yè )链招标(biāo )和订单(dān )有望(wàng )迎来持(chí )续催化。

      得益(yì )于政策利好与技术(shù )突破的双轮驱动,未来3年至5年,脑机(jī )接口医疗产品(pǐn )有望迎来爆发期。太平洋证券分析指(zhǐ )出,脑机接口技术(shù )近年来从实(shí )验室研(yán )究大步迈向(xiàng )市场应(yīng )用,展现出(chū )蓬勃发(fā )展态势。当(dāng )下,侵(qīn )入式和非侵(qīn )入式产(chǎn )品研(yán )发均有(yǒu )序推进(jìn )。尽(jìn )管该技(jì )术仍处(chù )于早(zǎo )期发展(zhǎn )阶段,但研发和应(yīng )用潜力巨大;随着(zhe )技术的迭代和伦理(lǐ )规范的健全完善,脑机接口有望(wàng )让科技之光加速照(zhào )进现实。

      4月销(xiāo )售额实现同比环比(bǐ )双增长,该细分行(háng )业2025年或正迎(yíng )来全面(miàn )复苏

      相(xiàng )较于硅(guī )基半导体,以碳化(huà )硅和氮化镓(jiā )为代表(biǎo )的宽禁带半(bàn )导体在(zài )材料(liào )端至器(qì )件端的(de )性能(néng )优势突(tū )出,具备高频、高(gāo )效、高功率、耐高(gāo )压、耐高温等特点(diǎn ),是未来半导体行(háng )业发展的重要(yào )方向。其中,碳化(huà )硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速(sù )率和高热导(dǎo )率等特(tè )性,使其在(zài )电力电(diàn )子器件等应(yīng )用中发(fā )挥着至关重(chóng )要的作(zuò )用。碳化硅(guī )材料在(zài )功率(lǜ )半导体(tǐ )器件、射频(pín )半导体(tǐ )器件及新兴应用领(lǐng )域具有广阔的市场(chǎng )应用潜力。光大证(zhèng )券指出,随着AI数据(jù )中心、AR眼镜等行业的增长,碳化(huà )硅行业将随之快速(sù )增长。国内碳化硅(guī )衬底企业持续投资(zī )扩张产能,有望持(chí )续扩大市场(chǎng )份额。

      行业媒(méi )体报道(dào ),三星SDI正在(zài )天安工(gōng )厂建设的试(shì )验生产(chǎn )线“DryEV”上启(qǐ )动基于(yú )干法(fǎ )电极的(de )电池验证工作,公(gōng )司此前已完成实验(yàn )室性能测试。三星(xīng )SDI正在考虑将干法电(diàn )极技术应用于全固态电池,计划(huá )将其作为降低制造(zào )成本、提升设备效(xiào )率和量产速度的竞(jìng )争手段。

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  • 2026-01-15

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  4月销(xiāo )售额实现同比环比(bǐ )双增长,该细分行(háng )业2025年或正迎(yíng )来全面(miàn )复苏

  相(xiàng )较于硅(guī )基半导体,以碳化(huà )硅和氮化镓(jiā )为代表(biǎo )的宽禁带半(bàn )导体在(zài )材料(liào )端至器(qì )件端的(de )性能(néng )优势突(tū )出,具备高频、高(gāo )效、高功率、耐高(gāo )压、耐高温等特点(diǎn ),是未来半导体行(háng )业发展的重要(yào )方向。其中,碳化(huà )硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速(sù )率和高热导(dǎo )率等特(tè )性,使其在(zài )电力电(diàn )子器件等应(yīng )用中发(fā )挥着至关重(chóng )要的作(zuò )用。碳化硅(guī )材料在(zài )功率(lǜ )半导体(tǐ )器件、射频(pín )半导体(tǐ )器件及新兴应用领(lǐng )域具有广阔的市场(chǎng )应用潜力。光大证(zhèng )券指出,随着AI数据(jù )中心、AR眼镜等行业的增长,碳化(huà )硅行业将随之快速(sù )增长。国内碳化硅(guī )衬底企业持续投资(zī )扩张产能,有望持(chí )续扩大市场(chǎng )份额。

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