美利信跌1.85% 2023年上市超募7.6亿元
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      据报道,近日,诺(nuò )天碳化(huà )硅半导体设备与基材(cái )生产基(jī )地项目投产仪式举行(háng )。上述(shù )项目总投资约1.5亿元,于2024年2月(yuè )签(qiān )约落户株洲高新区,项目(mù )主(zhǔ )要生产碳化硅半导体设(shè )备(bèi )与(yǔ )基材,产品广泛应用于(yú )碳(tàn )化(huà )硅单晶生长与衬底制造(zào )、半(bàn )导体材料石墨化纯化处(chù )理(lǐ )、先进陶瓷与复合材料研(yán )发(fā )、光伏、锂电领域高温烧(shāo )结(jié )等。

      这一战略性新兴产(chǎn )业迎来(lái )规模化发展的关键窗(chuāng )口期

      市调机构集邦科技(jì )表示,三(sān )星持续减少DDR4供应,预期DDR4供(gòng )不(bú )应求情况可能延续到今(jīn )年(nián )第(dì )3季度,随着DDR4价格上涨,将(jiāng )加(jiā )速用户升级至DDR5。据集邦(bāng )科(kē )技(jì )调查,DDR4现货价大幅扬升(shēng ),6月(yuè )以来DDR4 8Gb颗粒现货均价自2.73美(měi )元(yuán ),攀高至4.28美元,上涨逾5成(chéng );DDR4 16Gb颗粒现货均价自6.1美元,扬升(shēng )至9.5美元(yuán ),涨幅也达5成以上。

      行(háng )业媒体报道,三星SDI正(zhèng )在天安(ān )工厂建设的试验生产线“DryEV”上(shàng )启动基于干法电极的电(diàn )池(chí )验(yàn )证工作,公司此前已完(wán )成(chéng )实(shí )验室性能测试。三星SDI正(zhèng )在(zài )考(kǎo )虑将干法电极技术应用(yòng )于(yú )全(quán )固态电池,计划将其作(zuò )为(wéi )降低制造成本、提升设备(bèi )效(xiào )率和量产速度的竞争手段。

      根(gēn )据CFM闪存市场报道,现(xiàn )货旧制(zhì )程DRAM资源供应缺货涨价(jià )延续,存储厂商针对渠道内存条、行(háng )业内存条及LPDDR4X等产品现货(huò )价(jià )格(gé )坚定持报涨态度。甬兴(xìng )证(zhèng )券(quàn )研报称,受益于供应端(duān )推(tuī )动(dòng )涨价、库存逐渐回归正(zhèng )常(cháng )、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产(chǎn )业(yè )链有望探底回升。

      相(xiàng )较(jiào )于硅基半导体,以碳化硅和(hé )氮化镓(jiā )为代表的宽禁带半导(dǎo )体在材(cái )料端至器件端的性能(néng )优势突(tū )出,具备高频、高效、高功(gōng )率(lǜ )、耐高压、耐高温等特(tè )点(diǎn ),是未来半导体行业发展(zhǎn )的(de )重(chóng )要方向。其中,碳化硅(guī )的(de )高(gāo )禁带宽度、高击穿电场(chǎng )强(qiáng )度(dù )、高电子饱和漂移速率(lǜ )和(hé )高热导率等特性,使其在(zài )电(diàn )力电子器件等应用中发挥着(zhe )至关重(chóng )要的作用。碳化硅材(cái )料在功(gōng )率半导体器件、射频(pín )半导体(tǐ )器件及新兴应用领域具有广(guǎng )阔(kuò )的市场应用潜力。光大证(zhèng )券(quàn )指出,随着AI数据中心、AR眼(yǎn )镜(jìng )等行业的增长,碳化硅(guī )行(háng )业(yè )将随之快速增长。国内(nèi )碳(tàn )化(huà )硅衬底企业持续投资扩(kuò )张(zhāng )产(chǎn )能,有望持续扩大市场(chǎng )份(fèn )额。

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  • 2026-01-19

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  这一战略性新兴产(chǎn )业迎来(lái )规模化发展的关键窗(chuāng )口期

  市调机构集邦科技(jì )表示,三(sān )星持续减少DDR4供应,预期DDR4供(gòng )不(bú )应求情况可能延续到今(jīn )年(nián )第(dì )3季度,随着DDR4价格上涨,将(jiāng )加(jiā )速用户升级至DDR5。据集邦(bāng )科(kē )技(jì )调查,DDR4现货价大幅扬升(shēng ),6月(yuè )以来DDR4 8Gb颗粒现货均价自2.73美(měi )元(yuán ),攀高至4.28美元,上涨逾5成(chéng );DDR4 16Gb颗粒现货均价自6.1美元,扬升(shēng )至9.5美元(yuán ),涨幅也达5成以上。

  行(háng )业媒体报道,三星SDI正(zhèng )在天安(ān )工厂建设的试验生产线“DryEV”上(shàng )启动基于干法电极的电(diàn )池(chí )验(yàn )证工作,公司此前已完(wán )成(chéng )实(shí )验室性能测试。三星SDI正(zhèng )在(zài )考(kǎo )虑将干法电极技术应用(yòng )于(yú )全(quán )固态电池,计划将其作(zuò )为(wéi )降低制造成本、提升设备(bèi )效(xiào )率和量产速度的竞争手段。

  根(gēn )据CFM闪存市场报道,现(xiàn )货旧制(zhì )程DRAM资源供应缺货涨价(jià )延续,存储厂商针对渠道内存条、行(háng )业内存条及LPDDR4X等产品现货(huò )价(jià )格(gé )坚定持报涨态度。甬兴(xìng )证(zhèng )券(quàn )研报称,受益于供应端(duān )推(tuī )动(dòng )涨价、库存逐渐回归正(zhèng )常(cháng )、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产(chǎn )业(yè )链有望探底回升。

  相(xiàng )较(jiào )于硅基半导体,以碳化硅和(hé )氮化镓(jiā )为代表的宽禁带半导(dǎo )体在材(cái )料端至器件端的性能(néng )优势突(tū )出,具备高频、高效、高功(gōng )率(lǜ )、耐高压、耐高温等特(tè )点(diǎn ),是未来半导体行业发展(zhǎn )的(de )重(chóng )要方向。其中,碳化硅(guī )的(de )高(gāo )禁带宽度、高击穿电场(chǎng )强(qiáng )度(dù )、高电子饱和漂移速率(lǜ )和(hé )高热导率等特性,使其在(zài )电(diàn )力电子器件等应用中发挥着(zhe )至关重(chóng )要的作用。碳化硅材(cái )料在功(gōng )率半导体器件、射频(pín )半导体(tǐ )器件及新兴应用领域具有广(guǎng )阔(kuò )的市场应用潜力。光大证(zhèng )券(quàn )指出,随着AI数据中心、AR眼(yǎn )镜(jìng )等行业的增长,碳化硅(guī )行(háng )业(yè )将随之快速增长。国内(nèi )碳(tàn )化(huà )硅衬底企业持续投资扩(kuò )张(zhāng )产(chǎn )能,有望持续扩大市场(chǎng )份(fèn )额。

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