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　　据报(bào )道，近日(rì )，诺(nuò )天碳(tàn )化硅(guī )半导(dǎo )体设(shè )备与(yǔ )基材(cái )生产(chǎn )基地项目投产仪式举行。上述项目总投资约1.5亿元，于2024年2月签约落户(hù )株洲(zhōu )高新(xīn )区，项目(mù )主要(yào )生产(chǎn )碳化硅半导体设备与基材，产品广泛应用于碳化硅单晶生长与衬底制造、半导体材料石墨化纯化处理、先(xiān )进陶(táo )瓷与(yǔ )复合(hé )材料(liào )研发(fā )、光(guāng )伏、锂电(diàn )领域(yù )高温(wēn )烧结(jié )等。

　　4月销(xiāo )售额(é )实现(xiàn )同比(bǐ )环比双增长，该细分行业2025年或正迎来全面复苏

　　三星SDI正在考虑将干法(fǎ )电极(jí )技术(shù )应用(yòng )于全(quán )固态(tài )电池(chí )

　　得益于政策利好与技术突破的双轮驱动，未来3年至5年，脑机接口医疗产品有望迎来爆发期。太平洋证(zhèng )券分(fèn )析指(zhǐ )出，脑机(jī )接口(kǒu )技术(shù )近年(nián )来从(cóng )实验(yàn )室研(yán )究大(dà )步迈(mài )向市(shì )场应(yīng )用，展现(xiàn )出蓬(péng )勃发展态势。当下，侵入式和非侵入式产品研发均有序推进。尽管该技(jì )术仍(réng )处于(yú )早期(qī )发展(zhǎn )阶段(duàn )，但研发和应用潜力巨大；随着技术的迭代和伦理规范的健全完善，脑机接口有望让科技之光加速照进现实。

　　机构(gòu )称三(sān )星减(jiǎn )少DDR4供(gòng )应，DDR4可能(néng )供不(bú )应求(qiú )到第(dì )3季度(dù )

　　行业(yè )媒体(tǐ )报道(dào )，三(sān )星SDI正(zhèng )在天安工厂建设的试验生产线“DryEV”上启动基于干法电极的电池验证工作(zuò )，公(gōng )司此(cǐ )前已(yǐ )完成(chéng )实验(yàn )室性能测试。三星SDI正在考虑将干法电极技术应用于全固态电池，计划将其作为降低制造成本、提升设备效率和(hé )量产(chǎn )速度(dù )的竞(jìng )争手(shǒu )段。

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