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　　市(shì )调机构(gòu )集邦科(kē )技表示，三星持续减少DDR4供应，预(yù )期DDR4供不(bú )应求情(qíng )况可能延续到今年第3季度，随着(zhe )DDR4价格上(shàng )涨，将(jiāng )加速用(yòng )户升级至DDR5。据集邦科技调(diào )查，DDR4现(xiàn )货价大(dà )幅扬升(shēng )，6月以来DDR4 8Gb颗粒现货均价自(zì )2.73美元，攀高至(zhì )4.28美元，上涨逾5成；DDR4 16Gb颗粒现货均价自6.1美元(yuán )，扬升(shēng )至9.5美元(yuán )，涨幅也达5成以上。

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　　据报道，近(jìn )日，诺(nuò )天碳化(huà )硅半导体设备与基材生产基地项(xiàng )目投产(chǎn )仪式举(jǔ )行。上述项目总投资约1.5亿元，于(yú )2024年2月签(qiān )约落户(hù )株洲高新区，项目主要生产碳化(huà )硅半导(dǎo )体设备(bèi )与基材(cái )，产品广泛应用于碳化硅(guī )单晶生(shēng )长与衬(chèn )底制造(zào )、半导体材料石墨化纯化处理、先进陶(táo )瓷与复(fù )合材料研发、光伏、锂电领域高(gāo )温烧结(jié )等。

　　相较于硅基半导体，以碳化硅(guī )和氮化(huà )镓为代(dài )表的宽禁带半导体在材料端至器(qì )件端的(de )性能优(yōu )势突出，具备高频、高效、高功(gōng )率、耐(nài )高压、耐高温(wēn )等特点，是未来半导体行(háng )业发展(zhǎn )的重要(yào )方向。其中，碳化硅的高禁带宽(kuān )度、高(gāo )击穿电(diàn )场强度(dù )、高电子饱和漂移速率和高热导(dǎo )率等特(tè )性，使(shǐ )其在电力电子器件等应用中发挥(huī )着至关(guān )重要的(de )作用。碳化硅材料在功率半导体(tǐ )器件、射频半(bàn )导体器件及新兴应用领域具有广(guǎng )阔的市(shì )场应用(yòng )潜力。光大证券指出，随着AI数据(jù )中心、AR眼镜等(děng )行业的(de )增长，碳化硅行业将随之(zhī )快速增(zēng )长。国(guó )内碳化(huà )硅衬底企业持续投资扩张产能，有望持(chí )续扩大(dà )市场份额。

　　该国宣布将这一(yī )金属出(chū )口临时(shí )禁令再延长三个月

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　　上(shàng )市公司(sī )中，中(zhōng )洲特材是核电公司的上游(yóu )供应商(shāng )，生产(chǎn )的阀门(mén )、焊材等产品已为中核、中广核(hé )、国核(hé )等核电(diàn )设施配套。国光电气在互动易表(biǎo )示超导(dǎo )材料作(zuò )为磁约束可控核聚变装置的一项(xiàng )关键材(cái )料，其(qí )进步将有力的推动磁约束可控核(hé )聚变工(gōng )程化进(jìn )度。公(gōng )司所研制的偏滤器、第一(yī )壁等产(chǎn )品是可(kě )控核聚(jù )变装置的核心零部件。

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