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　　全球首(shǒu )例！我国介(jiè )入式脑机接口成功实现(xiàn )人体患(huàn )肢运动功能修复

　　这(zhè )类半导(dǎo )体材料(liào )性能(néng )优势突(tū )出，是未来行业发展的(de )重要方(fāng )向

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　　三(sān )星(xīng )SDI正在(zài )考虑将干法电极技术应用于全(quán )固态电(diàn )池

　　市调机构集邦科(kē )技表示(shì )，三星(xīng )持续(xù )减少DDR4供(gòng )应，预期DDR4供不应求情况(kuàng )可能延(yán )续到今年第3季度，随着DDR4价格上(shàng )涨，将(jiāng )加速(sù )用户升(shēng )级至DDR5。据集邦科技调查(chá )，DDR4现货(huò )价大(dà )幅扬升，6月以来DDR4 8Gb颗粒现货均价自(zì )2.73美元(yuán )，攀高(gāo )至4.28美元，上涨逾5成；DDR4 16Gb颗(kē )粒现货(huò )均价(jià )自(zì )6.1美元(yuán )，扬升至9.5美元，涨幅也达5成以(yǐ )上。

　　相较于硅基半导体，以碳化(huà )硅和氮(dàn )化镓(jiā )为代表(biǎo )的宽禁带半导体在材料(liào )端至器(qì )件端的性能优势突出，具备高(gāo )频、高(gāo )效、高功率(lǜ )、耐高压、耐高温等特(tè )点，是(shì )未来(lái )半导体行业发展的重要方向。其(qí )中，碳化硅(guī )的高禁带宽度、高击穿(chuān )电场强(qiáng )度、高(gāo )电子(zǐ )饱和漂移速率和高热导率等特(tè )性，使(shǐ )其在电力电子器件等应(yīng )用中发(fā )挥着至(zhì )关重(chóng )要的作(zuò )用。碳化硅材料在功率(lǜ )半导体(tǐ )器件、射频半导体器件及新兴(xìng )应用领(lǐng )域具(jù )有广阔(kuò )的市场应用潜力。光大(dà )证券指(zhǐ )出，随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增(zēng )长，碳化硅(guī )行业将随之快速增长。国内碳(tàn )化硅衬(chèn )底企(qǐ )业持续投资扩张产能，有望持(chí )续扩大(dà )市场份额。

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