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　　相较(jiào )于硅基半导体，以碳化硅和(hé )氮化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅(guī )的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在电(diàn )力电子器件等应用中发挥着(zhe )至关重要的作用。碳化硅材料在功率半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领域具(jù )有广阔的市场应用潜力。光大证券指出，随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长，碳化硅(guī )行业将随之快速增长。国内碳化硅衬底企业持续投资扩张产能，有望持续扩大市场份额。

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