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　　根据CFM闪(shǎn )存市场(chǎng )报道，现货旧制程DRAM资源供应缺货涨价延(yán )续，存(cún )储厂商(shāng )针对渠(qú )道内存(cún )条、行业内(nèi )存条及(jí )LPDDR4X等产品(pǐn )现货价(jià )格坚定持报涨态度。甬兴(xìng )证券研(yán )报称，受益于(yú )供应端(duān )推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求(qiú )上升，产业链有望探底回(huí )升。

　　根据(jù )高工锂电，2025年1-4月，国内固态电池(chí )行业的(de )扩产规(guī )划规模(mó )超过50GWh，拟投资总额约150亿元。申万(wàn )宏源证(zhèng )券电新(xīn )团队认(rèn )为，考(kǎo )虑到目前国(guó )内首条(tiáo )0.1GWh干法电(diàn )极产线(xiàn )已正式投入运营，同时行(háng )业内诸(zhū )多厂商(shāng )纷纷聚(jù )焦硫化(huà )物技术路线，看好干法设备和硫(liú )化物电(diàn )解质是(shì )全固态(tài )电池的核心增量。

　　上(shàng )海超导(dǎo )科创板IPO获受理，拟募资12亿元

　　智能算(suàn )力规模(mó )的快速(sù )增长直接催生了对高效散热技术(shù )的迫切(qiē )需求。国泰海(hǎi )通证券(quàn )表示，AI算力(lì )需求快(kuài )速增长(zhǎng )，数据(jù )中心液冷有望加速发展。随着AI应(yīng )用快速(sù )发展，算力密(mì )度提升，算力设备、数据中心机(jī )柜对散(sàn )热需求(qiú )大幅增(zēng )长，液冷技术加速(sù )导入。国信证(zhèng )券认为，AI时代，算力芯片功率持(chí )续提升(shēng )，设备(bèi )功率密(mì )度触及传统风冷降温方式极限，液冷技(jì )术应用(yòng )大势所(suǒ )趋。当(dāng )前阶段，液(yè )冷应用(yòng )主要采(cǎi )用冷板(bǎn )式技术；浸没式方案是长(zhǎng )期发展(zhǎn )方向。同时，国内PUE考(kǎo )核趋严，运营商液冷白皮书规划(huá )有望进(jìn )一步加(jiā )速国内(nèi )液冷应用。

　　相(xiàng )较于硅(guī )基半导(dǎo )体，以碳化硅和氮化镓为代表的(de )宽禁带(dài )半导体(tǐ )在材料(liào )端至器件端的性能优势突出，具(jù )备高频(pín )、高效(xiào )、高功(gōng )率、耐(nài )高压、耐高(gāo )温等特(tè )点，是(shì )未来半导体行业发展的重要方向(xiàng )。其中(zhōng )，碳化(huà )硅的高(gāo )禁带宽(kuān )度、高击穿电场强度、高电子饱(bǎo )和漂移(yí )速率和(hé )高热导(dǎo )率等特性，使其在(zài )电力电(diàn )子器件(jiàn )等应用中发挥着至关重要的作用(yòng )。碳化(huà )硅材料(liào )在功率(lǜ )半导体器件、射频半导体器件及(jí )新兴应(yīng )用领域(yù )具有广(guǎng )阔的市(shì )场应用潜力(lì )。光大(dà )证券指(zhǐ )出，随着AI数据中心、AR眼镜等行业(yè )的增长(zhǎng )，碳化(huà )硅行业(yè )将随之快速增长。国内碳化硅衬底企业(yè )持续投(tóu )资扩张(zhāng )产能，有望持续扩(kuò )大市场(chǎng )份额。

　　据(jù )媒体报道，近日，全球首例介入(rù )式脑机(jī )接口辅(fǔ )助人体(tǐ )患肢运动功能修复试验在我国完(wán )成，成(chéng )功帮助(zhù )一名偏(piān )瘫患者实现运动功(gōng )能修复(fù )。该研(yán )究由南开大学段峰教授团队牵头(tóu )，联合(hé )福建三(sān )博脑科(kē )医院教授林志雄、福建省第二人民医院(yuàn )教授吴(wú )成翰，在三博(bó )脑科医院福(fú )建院区(qū )完成试(shì )验。据(jù )悉，自受试者大脑血管内导入介(jiè )入式脑(nǎo )机接口(kǒu )设备以(yǐ )来，术后未出现感染、血栓形成(chéng )等情况(kuàng )，系统(tǒng )运行稳(wěn )定，实现了脑电信(xìn )号的精(jīng )准采集(jí )与交互控制。

　　相较于硅基半(bàn )导体，以碳化(huà )硅和氮(dàn )化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至(zhì )器件端(duān )的性能(néng )优势突(tū )出，具备高(gāo )频、高(gāo )效、高(gāo )功率、耐高压、耐高温等特点，是未来(lái )半导体(tǐ )行业发(fā )展的重(chóng )要方向。其中，碳化硅的高禁带(dài )宽度、高击穿(chuān )电场强(qiáng )度、高电子饱和漂(piāo )移速率(lǜ )和高热(rè )导率等特性，使其在电力电子器(qì )件等应(yīng )用中发(fā )挥着至(zhì )关重要的作用。碳化硅材料在功率半导(dǎo )体器件(jiàn )、射频(pín )半导体(tǐ )器件及新兴(xìng )应用领(lǐng )域具有(yǒu )广阔的(de )市场应用潜力。光大证券指出，随着AI数(shù )据中心(xīn )、AR眼镜(jìng )等行业的增长，碳化硅行业将随(suí )之快速(sù )增长。国内碳(tàn )化硅衬底企业持续(xù )投资扩(kuò )张产能(néng )，有望持续扩大市场份额。

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