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　　这类半导体材料性能优势突出，是未来行业发展的重要方向

　　电极制作可采用湿法和干法工艺，目前行业多采用湿法涂浆方式制作电极，近年干(gàn )法(fǎ )工(gōng )艺(yì )成(chéng )为(wéi )行(háng )业(yè )发(fā )展(zhǎn )趋(qū )势(shì )。东方证券认为，设备是规模量产的基石，有望成为降(jiàng )本(běn )突(tū )破(pò )口(kǒu )。通(tōng )过(guò )拆(chāi )解(jiě )固(gù )态(tài )电(diàn )池核心制造工艺发现：干法工艺不仅是电池降本的有效手段，也是天然适配全固态电池的制片工艺；等静压的材料致密化能力或可迁移至固态电池中，改善孔隙率与电极/电解(jiě )质(zhì )的(de )界(jiè )面(miàn )复(fù )合(hé )问(wèn )题(tí )；叠(dié )片(piàn )在固态电池装配工艺中有望成为主流，而设备精度要求(qiú )大(dà )幅(fú )提(tí )升(shēng )。全(quán )固(gù )态(tài )电(diàn )池(chí )获(huò )得(dé )全产业链的共同关注与合力布局，方向性与趋势性明确。当前工艺设备成熟度不足成为固态电池产业化的主要桎梏之一，掌握核心设备供应能力的厂商有望受益。

　　国轩高(gāo )科(kē )：金(jīn )石(shí )全(quán )固(gù )态(tài )电(diàn )池(chí )PACK系(xì )统(tǒng )已开启装车路测

　　机构称三星减少DDR4供应，DDR4可能供不应(yīng )求(qiú )到(dào )第(dì )3季(jì )度(dù )

　　据(jù )报(bào )道(dào )，近(jìn )日，诺天碳化硅半导体设备与基材生产基地项目投产仪式举行。上述项目总投资约1.5亿元，于2024年2月签约落户株洲高新区，项目主要生产碳化硅半导体设备与基材，产品广泛应用(yòng )于(yú )碳(tàn )化(huà )硅(guī )单(dān )晶(jīng )生(shēng )长(zhǎng )与(yǔ )衬(chèn )底(dǐ )制造、半导体材料石墨化纯化处理、先进陶瓷与复合材料(liào )研(yán )发(fā )、光(guāng )伏(fú )、锂(lǐ )电(diàn )领(lǐng )域(yù )高(gāo )温烧结等。

　　相较于硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来(lái )半(bàn )导(dǎo )体(tǐ )行(háng )业(yè )发(fā )展(zhǎn )的(de )重(chóng )要(yào )方(fāng )向。其中，碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电(diàn )子(zǐ )饱(bǎo )和(hé )漂(piāo )移(yí )速(sù )率(lǜ )和(hé )高(gāo )热(rè )导(dǎo )率(lǜ )等特性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。碳化硅材料在功率半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领域具有广阔的市场应用潜力。光大证券指出，随(suí )着(zhe )AI数(shù )据(jù )中(zhōng )心(xīn )、AR眼(yǎn )镜(jìng )等(děng )行(háng )业的增长，碳化硅行业将随之快速增长。国内碳化硅衬底(dǐ )企(qǐ )业(yè )持(chí )续(xù )投(tóu )资(zī )扩(kuò )张(zhāng )产(chǎn )能(néng )，有(yǒu )望持续扩大市场份额。

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