多点数智港股涨23.64%
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      相(xiàng )较(jiào )于硅基半导体,以碳化(huà )硅(guī )和氮化镓为代表(biǎo )的宽禁带半导体(tǐ )在(zài )材料端至器件端的性能(néng )优(yōu )势突出,具备高(gāo )频、高效、高功率(lǜ )、耐高(gāo )压、耐高温等特(tè )点(diǎn ),是未来半导体(tǐ )行(háng )业发展的重要方(fāng )向。其(qí )中,碳化硅的高禁(jìn )带宽度、高击穿(chuān )电(diàn )场强度、高电子(zǐ )饱和漂(piāo )移(yí )速率和高热导率(lǜ )等特性,使其在(zài )电(diàn )力电子器件等应用中发(fā )挥(huī )着至关重要的作(zuò )用。碳化硅材料(liào )在(zài )功率半导体器件、射频(pín )半(bàn )导体器件及新兴(xìng )应用领域具有广阔(kuò )的市场(chǎng )应用潜力。光大(dà )证(zhèng )券指出,随着AI数(shù )据(jù )中心、AR眼镜等行(háng )业的增(zēng )长,碳化硅行业将(jiāng )随之快速增长。国(guó )内碳化硅衬底企(qǐ )业持续(xù )投(tóu )资扩张产能,有(yǒu )望持续扩大市场(chǎng )份(fèn )额。

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      这一(yī )战(zhàn )略性新兴产业迎(yíng )来规模化发展的关(guān )键窗口(kǒu )期

      行业媒体(tǐ )报(bào )道,三星SDI正在天(tiān )安(ān )工厂建设的试验(yàn )生产线(xiàn )“DryEV”上启动基于干(gàn )法电极的电池验(yàn )证(zhèng )工作,公司此前(qián )已完成(chéng )实(shí )验室性能测试。三星SDI正在考虑将(jiāng )干(gàn )法电极技术应用于全固(gù )态(tài )电池,计划将其(qí )作为降低制造成(chéng )本(běn )、提升设备效率和量产(chǎn )速(sù )度的竞争手段。

      得益于政策利(lì )好与技(jì )术突破的双轮驱(qū )动(dòng ),未来3年至5年,脑(nǎo )机接口医疗产品(pǐn )有望迎(yíng )来爆发期。太平洋(yáng )证券分析指出,脑(nǎo )机接口技术近年来从实(shí )验(yàn )室研究大步迈向(xiàng )市场应用,展现(xiàn )出(chū )蓬勃发展态势。当下,侵(qīn )入式和非侵入式(shì )产品研发均有序(xù )推(tuī )进。尽管该技术仍处于(yú )早(zǎo )期发展阶段,但(dàn )研发和应用潜力巨(jù )大;随(suí )着技术的迭代和(hé )伦(lún )理规范的健全完(wán )善(shàn ),脑机接口有望(wàng )让科技(jì )之光加速照进现实(shí )。

      智能算力(lì )规(guī )模的快速增长直接催生(shēng )了(le )对高效散热技术(shù )的迫切需求。国(guó )泰(tài )海通证券表示,AI算力需(xū )求(qiú )快速增长,数据(jù )中心液冷有望加(jiā )速(sù )发展。随着AI应用快速发(fā )展(zhǎn ),算力密度提升(shēng ),算力设备、数据(jù )中心机(jī )柜对散热需求大(dà )幅(fú )增长,液冷技术(shù )加(jiā )速导入。国信证(zhèng )券认为(wéi ),AI时代,算力芯片(piàn )功率持续提升,设(shè )备功率密度触及传统风(fēng )冷(lěng )降温方式极限,液冷技术应用大(dà )势(shì )所趋。当前阶段,液冷(lěng )应(yīng )用主要采用冷板(bǎn )式技术;浸没式(shì )方(fāng )案是长(zhǎng )期发展方向。同(tóng )时(shí ),国内PUE考核趋严(yán ),运营商液冷白皮(pí )书规划(huá )有望进一步加速(sù )国(guó )内液冷应用。

      这一战略性新兴(xìng )产业迎(yíng )来规模化发展的关(guān )键窗口期

  • 明星变脸
  • 2025-12-31

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