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　　AI算(suàn )力需求拉动下(xià )该细分领域有望加速发(fā )展

　　根据CFM闪(shǎn )存市场报(bào )道(dào )，现货旧制程(chéng )DRAM资源供应(yīng )缺货涨价延续(xù )，存储厂商(shāng )针对渠道内(nèi )存(cún )条、行业内存条及LPDDR4X等产(chǎn )品现货价格坚(jiān )定(dìng )持报涨(zhǎng )态(tài )度。甬兴证券(quàn )研报称，受益于供应端(duān )推动涨价、库存逐渐回(huí )归(guī )正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上(shàng )升，产业链有(yǒu )望探底回(huí )升(shēng )。

　　国轩高(gāo )科：金石全固态电池PACK系(xì )统已开启装车(chē )路测

　　上(shàng )市公司中，先(xiān )导智能向(xiàng )某全球前列的(de )电池制造企(qǐ )业成功交付(fù )固(gù )态电池复合转印设备与(yǔ )叠片设备，此(cǐ )次(cì )交付是(shì )公(gōng )司继全球首条(tiáo )固态电池(chí )中试线后的又(yòu )一里程碑。联赢激光高(gāo )度(dù )重视固态电池(chí )生产设备(bèi )的研发制造，已为包括(kuò )头(tóu )部电池厂在内(nèi )的多家客户提供了中试(shì )线和量产装配(pèi )线。宁德(dé )时(shí )代是公司重要(yào )客户，公(gōng )司为其包括固(gù )态电池在内(nèi )的多种产品(pǐn )生(shēng )产线提供了设备。天铁(tiě )科技全资孙公(gōng )司(sī )安徽天(tiān )铁(tiě )锂电新能源有(yǒu )限公司生(shēng )产的金属锂可(kě )用于固态电池的负极材(cái )料(liào )。

　　USGS数据显(xiǎn )示，2024年全(quán )球钴矿产量约(yuē )为28.8万金属(shǔ )吨(dūn )，其中刚果(金(jīn ))钴矿产量约为22万金属吨(dūn )，同比增长约(yuē )25%，全球市(shì )场(chǎng )占比达到76.4%。国(guó )信证券研(yán )报称，若按照(zhào )2024年的产量作(zuò )为依据，刚(gāng )果(guǒ )(金)禁止钴原料出口7个月(yuè )时间，至少将(jiāng )影(yǐng )响今年(nián )全(quán )球钴原料供应(yīng )达10万金属(shǔ )吨以上，或将(jiāng )造成国内钴原料供应短(duǎn )缺(quē )的局面。从全(quán )年维度来(lái )看，对钴价持(chí )乐观态度，预计国内电(diàn )钴(gǔ )价格有望重回25万元/吨上(shàng )方运行。另外(wài )从长期来(lái )看(kàn )，刚果(金)可能(néng )实施钴出(chū )口配额来提升(shēng )对于钴的定价权，钴价(jià )中(zhōng )枢有望抬升。

　　相较(jiào )于硅基半导体(tǐ )，以碳化(huà )硅(guī )和氮化镓为代(dài )表的宽禁带半导体在材(cái )料端至器件端的性能优(yōu )势(shì )突出，具备高(gāo )频、高效(xiào )、高功率、耐(nài )高压、耐高(gāo )温等特点，是(shì )未来半导体行业发展的(de )重要方向。其(qí )中，碳化(huà )硅(guī )的高禁带宽度(dù )、高击穿(chuān )电场强度、高(gāo )电子饱和漂移速率和高(gāo )热(rè )导率等特性，使其在电(diàn )力电子器件等(děng )应(yīng )用中发(fā )挥(huī )着至关重要的(de )作用。碳化硅材料在功(gōng )率半导体器件、射频半(bàn )导(dǎo )体器件及新兴(xìng )应用领域(yù )具有广阔的市(shì )场应用潜力(lì )。光大证券(quàn )指(zhǐ )出，随着AI数据中心、AR眼(yǎn )镜等行业的增(zēng )长，碳化(huà )硅(guī )行业将随之快(kuài )速增长。国内碳化硅衬(chèn )底企业持续投资扩张产(chǎn )能(néng )，有望持续扩大市场份(fèn )额。

　　相较(jiào )于硅基半(bàn )导(dǎo )体，以碳化硅(guī )和氮化镓为代表的宽禁(jìn )带半导体在材料端至器(qì )件(jiàn )端的性能优势(shì )突出，具(jù )备高频、高效(xiào )、高功率、耐高压、耐(nài )高(gāo )温等特点，是未来半导(dǎo )体行业发展的(de )重要方向(xiàng )。其中，碳化硅(guī )的高禁带(dài )宽度、高击穿(chuān )电场强度、高电子饱和(hé )漂(piāo )移速率和高热导率等特(tè )性，使其在电(diàn )力电子器(qì )件(jiàn )等应用中发挥(huī )着至关重要的作用。碳(tàn )化硅材料在功率半导体(tǐ )器(qì )件、射频半导(dǎo )体器件及(jí )新兴应用领域(yù )具有广阔的(de )市场应用潜(qián )力(lì )。光大证券指出，随着(zhe )AI数据中心、AR眼(yǎn )镜等行业(yè )的(de )增长，碳化硅(guī )行业将随(suí )之快速增长。国内碳化硅衬底企业持(chí )续(xù )投资扩张产能，有望持(chí )续扩大市场份(fèn )额。

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