中策橡胶首日股价涨个位数 三年分红14亿元上市募41亿
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      市调机构(gòu )集邦科技表示,三星持续(xù )减少DDR4供应(yīng ),预期(qī )DDR4供不应求(qiú )情况可能(néng )延续到(dào )今年第3季(jì )度,随着(zhe )DDR4价格上(shàng )涨,将加(jiā )速用户升(shēng )级至DDR5。据集邦科(kē )技调查,DDR4现货价(jià )大幅扬升(shēng ),6月以来DDR4 8Gb颗粒现货均价自(zì )2.73美元,攀高至4.28美元,上涨(zhǎng )逾5成;DDR4 16Gb颗粒现货均价(jià )自6.1美(měi )元,扬升至9.5美元,涨(zhǎng )幅也达5成(chéng )以上。

      电极(jí )制作可采(cǎi )用湿法和干法工(gōng )艺,目前(qián )行业多采(cǎi )用湿法(fǎ )涂浆方式(shì )制作电极(jí ),近年(nián )干法工艺(yì )成为行业(yè )发展趋(qū )势。东方(fāng )证券认为(wéi ),设备(bèi )是规模量(liàng )产的基石,有望(wàng )成为降本(běn )突破口。通过拆解固态电(diàn )池核心制造工艺发现(xiàn ):干(gàn )法工艺不仅是电池降(jiàng )本的(de )有效(xiào )手段,也是天然(rán )适配全固(gù )态电池的制片工(gōng )艺;等静(jìng )压的材料致密化(huà )能力或可(kě )迁移至固(gù )态电池(chí )中,改善(shàn )孔隙率与(yǔ )电极/电(diàn )解质的界(jiè )面复合问(wèn )题;叠(dié )片在固态(tài )电池装配(pèi )工艺中(zhōng )有望成为(wéi )主流,而设备精(jīng )度要求大(dà )幅提升。全固态电池获得(dé )全产业链的共同关注(zhù )与合(hé )力布局,方向性与趋(qū )势性(xìng )明确(què )。当前工艺设备(bèi )成熟度不(bú )足成为固态电池(chí )产业化的(de )主要桎梏之一,掌握核心(xīn )设备供应(yīng )能力的(de )厂商有望(wàng )受益。

      国轩(xuān )高科表示(shì ),公司首(shǒu )条全固(gù )态中试线(xiàn )已正式贯(guàn )通,金(jīn )石全固态(tài )电池PACK系统已完成(chéng )初步开发(fā )应用工作,并开启装车路(lù )测。并且,近期清陶(táo )在成(chéng )都基地15GWh固态电池已收(shōu )到环(huán )评审批意见,此外,德尔股份(fèn )及冠盛股份等均(jun1 )有固态电(diàn )池量产线推进计(jì )划。

      据报道,刚果金(jīn )公布,2025年(nián )6月21日起,战略矿(kuàng )产市场监(jiān )管局(ARECOMS)董事(shì )会采取(qǔ )了重大监(jiān )管措施,鉴于市(shì )场上库存(cún )量持续高企,已(yǐ )决定将临(lín )时禁令的期限自本决定生(shēng )效之日起再延长三个月,适用于刚果所有源自(zì )采矿(kuàng )的钴出口。

      相较(jiào )于硅基半(bàn )导体,以碳化硅(guī )和氮化镓(jiā )为代表的宽禁带(dài )半导体在(zài )材料端至器件端(duān )的性能优(yōu )势突出,具备高(gāo )频、高效(xiào )、高功率(lǜ )、耐高(gāo )压、耐高(gāo )温等特点(diǎn ),是未(wèi )来半导体(tǐ )行业发展的重要(yào )方向。其(qí )中,碳化硅的高禁带宽度(dù )、高击穿电场强度、高电(diàn )子饱和漂移速率和高(gāo )热导(dǎo )率等特性,使其在电(diàn )力电子器(qì )件等应用中发挥(huī )着至关重(chóng )要的作用。碳化(huà )硅材料在(zài )功率半导体器件(jiàn )、射频半(bàn )导体器件(jiàn )及新兴(xìng )应用领域(yù )具有广阔(kuò )的市场(chǎng )应用潜力(lì )。光大证(zhèng )券指出(chū ),随着AI数(shù )据中心、AR眼镜等(děng )行业的增(zēng )长,碳化硅行业将随之快(kuài )速增长。国内碳化硅衬底(dǐ )企业持续投资扩张产(chǎn )能,有望持续扩大市场份(fèn )额。

      上海超导科创板(bǎn )IPO获受理,拟募资12亿元

  • 惊奇短片
  • 2025-12-22

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  相较(jiào )于硅基半(bàn )导体,以碳化硅(guī )和氮化镓(jiā )为代表的宽禁带(dài )半导体在(zài )材料端至器件端(duān )的性能优(yōu )势突出,具备高(gāo )频、高效(xiào )、高功率(lǜ )、耐高(gāo )压、耐高(gāo )温等特点(diǎn ),是未(wèi )来半导体(tǐ )行业发展的重要(yào )方向。其(qí )中,碳化硅的高禁带宽度(dù )、高击穿电场强度、高电(diàn )子饱和漂移速率和高(gāo )热导(dǎo )率等特性,使其在电(diàn )力电子器(qì )件等应用中发挥(huī )着至关重(chóng )要的作用。碳化(huà )硅材料在(zài )功率半导体器件(jiàn )、射频半(bàn )导体器件(jiàn )及新兴(xìng )应用领域(yù )具有广阔(kuò )的市场(chǎng )应用潜力(lì )。光大证(zhèng )券指出(chū ),随着AI数(shù )据中心、AR眼镜等(děng )行业的增(zēng )长,碳化硅行业将随之快(kuài )速增长。国内碳化硅衬底(dǐ )企业持续投资扩张产(chǎn )能,有望持续扩大市场份(fèn )额。

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