根据CFM闪(shǎn )存市场报道,现货旧制程(chéng )DRAM资源供应缺货(huò )涨价延续(xù ),存储厂商针(zhēn )对渠道内(nèi )存条(tiáo )、行业内存(cún )条及LPDDR4X等产品现(xiàn )货价格坚(jiān )定持报涨态度(dù )。甬兴证(zhèng )券(quàn )研报称,受益(yì )于供应端(duān )推动涨价、库(kù )存逐渐回归正(zhèng )常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产业链有(yǒu )望探底回升。
媒体(tǐ )报道,近期,多(duō )家企业陆(lù )续披(pī )露了其在(zài )固态电池领域(yù )的最新进展(zhǎn )和量产时间。业界认为(wéi ),凭借高能量(liàng )密度、高(gāo )安全(quán )性和快速充(chōng )电能力,固态(tài )电池有望(wàng )成为下一代电(diàn )池的主流(liú )技(jì )术路线之一。随着技术(shù )研发与成本瓶(píng )颈不断突破,固态电池的(de )产业化进程正(zhèng )在加速,未来有望在低(dī )空经济、机器人、新能源(yuán )汽车等多重场(chǎng )景得到广(guǎng )泛应用。
根据CFM闪存市(shì )场报道,现货(huò )旧制程DRAM资(zī )源供应缺货涨(zhǎng )价延续,存储(chǔ )厂商针对渠(qú )道内存条、行(háng )业内存条(tiáo )及LPDDR4X等产品现货(huò )价格坚定(dìng )持(chí )报涨态度。甬(yǒng )兴证券研(yán )报称,受益于(yú )供应端推动涨(zhǎng )价、库存逐(zhú )渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升,产(chǎn )业链有望(wàng )探底回升。
相较于硅基半(bàn )导体,以(yǐ )碳化硅和氮化(huà )镓为代表的(de )宽禁带半导体(tǐ )在材料端(duān )至器件端的性(xìng )能优势突出,具备高频、高效、高功率(lǜ )、耐高压(yā )、耐高温等特(tè )点,是未(wèi )来(lái )半导体行业发(fā )展的重要(yào )方向。其中,碳化硅的高禁(jìn )带宽度、高(gāo )击穿电场强度(dù )、高电子(zǐ )饱和漂移速率(lǜ )和高热导(dǎo )率等特性,使其(qí )在电力电子器(qì )件等应用(yòng )中发挥着至关(guān )重要的作用(yòng )。碳化硅材料(liào )在功率半(bàn )导体器件、射(shè )频半导体器件(jiàn )及新兴应用(yòng )领域具有广阔(kuò )的市场应(yīng )用潜力。光大(dà )证券指出(chū ),随着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等(děng )行业的增长,碳化硅行业将(jiāng )随之快速增(zēng )长。国内碳化(huà )硅衬底企(qǐ )业持续投资扩(kuò )张产能,有望持续扩大市(shì )场份额。
4月销售额(é )实现同比环比(bǐ )双增长,该(gāi )细分行业2025年或(huò )正迎来全(quán )面复苏
得(dé )益于政策利好(hǎo )与技术突破(pò )的双轮驱动,未来3年至(zhì )5年,脑机接口(kǒu )医疗产品(pǐn )有望迎来爆发期(qī )。太平洋(yáng )证券分析指出(chū ),脑机接口技(jì )术近年来从(cóng )实验室研究大(dà )步迈向市(shì )场应用,展现(xiàn )出蓬勃发(fā )展态势。当下,侵入式和非侵(qīn )入式产品(pǐn )研发均有序推(tuī )进。尽管(guǎn )该(gāi )技术仍处于早(zǎo )期发展阶(jiē )段,但研发和(hé )应用潜力巨大(dà );随着技术(shù )的迭代和伦理(lǐ )规范的健(jiàn )全完善,脑机(jī )接口有望(wàng )让科技之光加速(sù )照进现实(shí )。
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