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　　机构称(chēng )三星减少DDR4供应，DDR4可能(néng )供不应求到第3季度

　　根据CFM闪存市场报道(dào )，现货旧制程DRAM资源供(gòng )应(yīng )缺货涨价延续，存(cún )储厂商(shāng )针对渠道内存(cún )条、行(háng )业内存条及LPDDR4X等产品现(xiàn )货价格坚定持报涨态(tài )度。甬兴证券研报(bào )称(chēng )，受益于供应端推动(dòng )涨(zhǎng )价、库存逐渐回归(guī )正(zhèng )常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求(qiú )上升，产业链有望探(tàn )底回升(shēng )。

　　据报道，近日(rì )，诺天碳化硅半导体(tǐ )设(shè )备与基材生产基地(dì )项(xiàng )目投产仪式举行。上(shàng )述项目总投资约1.5亿(yì )元，于(yú )2024年2月签约落户(hù )株洲高(gāo )新区，项目主要生产(chǎn )碳化硅半导体设备与(yǔ )基材，产品广泛应(yīng )用(yòng )于(yú )碳化硅单晶生长与(yǔ )衬(chèn )底制造、半导体材(cái )料(liào )石墨(mò )化纯化处理、先进陶(táo )瓷与复合材料(liào )研发、光伏、锂电领域高温(wēn )烧结等。

　　相较于(yú )硅(guī )基半导体，以碳化(huà )硅(guī )和氮化镓为代表的(de )宽(kuān )禁带半导体在材料(liào )端至器(qì )件端的性能优(yōu )势突出(chū )，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐(nài )高温等特点，是未来(lái )半(bàn )导体行业发展的重(chóng )要(yào )方向。其中，碳化(huà )硅(guī )的高(gāo )禁带宽度、高(gāo )击穿电(diàn )场强度、高电(diàn )子饱和(hé )漂移速率和高热导率(lǜ )等特性，使其在电力(lì )电(diàn )子器件等应用中发(fā )挥(huī )着至关重要的作用(yòng )。碳化硅材料在功率(lǜ )半(bàn )导体(tǐ )器件、射频半(bàn )导体器(qì )件及新兴应用领域具(jù )有广阔的市场应用潜(qián )力。光大证券指出，随(suí )着AI数据中心、AR眼镜(jìng )等(děng )行业的增长，碳化(huà )硅(guī )行业(yè )将随之快速增(zēng )长。国(guó )内碳化硅衬底(dǐ )企业持(chí )续投资扩张产能，有(yǒu )望持续扩大市场份额(é )。

　　上海超导科创(chuàng )板(bǎn )IPO获受理，拟募资12亿(yì )元(yuán )

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