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稳赢网网友：　　相较于硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性能优势突出，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。碳化硅材料在功率半导体器件、射频半导体器件及新兴应用领域具有广阔的市场应用潜力。光大证券指出，随着AI数据中心、AR眼镜等行业的增长，碳化硅行业将随之快速增长。国内碳化硅衬底企业持续投资扩张产能，有望持续扩大市场份额。

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