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      机(jī )构称三星减少DDR4供应,DDR4可(kě )能(néng )供(gòng )不应求到第3季度

      全球(qiú )首(shǒu )例!我国介入式脑机接口(kǒu )成(chéng )功(gōng )实现人体患肢运动功能(néng )修(xiū )复(fù )

      上海证券研报指出(chū ),2025年(nián )4月全球半导体销售额实现(xiàn )同(tóng )比环比双增长;SIA总裁兼首(shǒu )席(xí )执(zhí )行官JohnNeuffer表示:“4月份的全(quán )球(qiú )半(bàn )导体销售额在2025年首次出现环(huán )比增长,在美洲和亚太地(dì )区(qū )销(xiāo )售额增加的推动下,全(quán )球(qiú )市(shì )场继续实现同比增长。与(yǔ )此(cǐ )同时,在对人工智能、云基(jī )础(chǔ )设施和先进消费电子产(chǎn )品(pǐn )的(de )需求推动下,新的WSTS行业(yè )预(yù )测(cè )表明,2025年全球市场将稳步(bù )增(zēng )长。”上海证券认为,电(diàn )子(zǐ )半(bàn )导体2025年或正在迎来全面(miàn )复(fù )苏(sū ),产业竞争格局有望加速出(chū )清修复,产业盈利周期和(hé )相(xiàng )关(guān )公司利润有望持续复苏(sū )。

      上市公司中,寒锐钴业(yè )主(zhǔ )要从事金属钴粉、氢氧化钴(gǔ )、电积钴、电积铜及其他(tā )铜(tóng )钴(gǔ )产品的研发、生产和销(xiāo )售(shòu ),截至2024年,公司钴粉在全球(qiú )市(shì )场占有率排名前三。洛阳(yáng )钼(mù )业(yè )覆盖勘探-采矿-选矿-冶炼(liàn )4个(gè )环(huán )节,生产新能源金属铜和钴(gǔ ),战略金属钼、钨、铌及(jí )磷(lín )肥(féi )。公司2024年产钴11.42万吨,同(tóng )比(bǐ )增(zēng )长106%。

      相较于硅基半导(dǎo )体(tǐ ),以碳化硅和氮化镓为代表(biǎo )的(de )宽禁带半导体在材料端(duān )至(zhì )器(qì )件端的性能优势突出,具(jù )备(bèi )高频、高效、高功率、耐(nài )高(gāo )压、耐高温等特点,是未(wèi )来(lái )半(bàn )导体行业发展的重要方(fāng )向(xiàng )。其中,碳化硅的高禁带宽度(dù )、高击穿电场强度、高电(diàn )子(zǐ )饱(bǎo )和漂移速率和高热导率(lǜ )等(děng )特(tè )性,使其在电力电子器件(jiàn )等(děng )应用中发挥着至关重要的作(zuò )用(yòng )。碳化硅材料在功率半(bàn )导(dǎo )体(tǐ )器件、射频半导体器件(jiàn )及(jí )新(xīn )兴应用领域具有广阔的市(shì )场(chǎng )应用潜力。光大证券指出(chū ),随(suí )着AI数据中心、AR眼镜等行(háng )业(yè )的(de )增长,碳化硅行业将随之快(kuài )速增长。国内碳化硅衬底(dǐ )企(qǐ )业持续投资扩张产能,有(yǒu )望(wàng )持(chí )续扩大市场份额。

      近(jìn )日(rì ),上交所公告,上海超导科(kē )技股份有限公司科创板IPO获(huò )受(shòu )理(lǐ ),公司计划募资12亿元。招(zhāo )股(gǔ )书显示,上海超导是一家(jiā )专(zhuān )注于高温超导材料研发、生(shēng )产(chǎn )和销售的高新技术企业(yè ),是(shì )全球领先的高温超导材料(liào )生(shēng )产商之一。同日,证监会(huì )发(fā )布《关于在科创板设置科(kē )创(chuàng )成(chéng )长层,增强制度包容性适(shì )应(yīng )性的意见》。其中提出,设(shè )置科创板科创成长层。

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  • 2026-01-19

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  上市公司中,寒锐钴业(yè )主(zhǔ )要从事金属钴粉、氢氧化钴(gǔ )、电积钴、电积铜及其他(tā )铜(tóng )钴(gǔ )产品的研发、生产和销(xiāo )售(shòu ),截至2024年,公司钴粉在全球(qiú )市(shì )场占有率排名前三。洛阳(yáng )钼(mù )业(yè )覆盖勘探-采矿-选矿-冶炼(liàn )4个(gè )环(huán )节,生产新能源金属铜和钴(gǔ ),战略金属钼、钨、铌及(jí )磷(lín )肥(féi )。公司2024年产钴11.42万吨,同(tóng )比(bǐ )增(zēng )长106%。

  相较于硅基半导(dǎo )体(tǐ ),以碳化硅和氮化镓为代表(biǎo )的(de )宽禁带半导体在材料端(duān )至(zhì )器(qì )件端的性能优势突出,具(jù )备(bèi )高频、高效、高功率、耐(nài )高(gāo )压、耐高温等特点,是未(wèi )来(lái )半(bàn )导体行业发展的重要方(fāng )向(xiàng )。其中,碳化硅的高禁带宽度(dù )、高击穿电场强度、高电(diàn )子(zǐ )饱(bǎo )和漂移速率和高热导率(lǜ )等(děng )特(tè )性,使其在电力电子器件(jiàn )等(děng )应用中发挥着至关重要的作(zuò )用(yòng )。碳化硅材料在功率半(bàn )导(dǎo )体(tǐ )器件、射频半导体器件(jiàn )及(jí )新(xīn )兴应用领域具有广阔的市(shì )场(chǎng )应用潜力。光大证券指出(chū ),随(suí )着AI数据中心、AR眼镜等行(háng )业(yè )的(de )增长,碳化硅行业将随之快(kuài )速增长。国内碳化硅衬底(dǐ )企(qǐ )业持续投资扩张产能,有(yǒu )望(wàng )持(chí )续扩大市场份额。

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