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　　相较于硅(guī )基(jī )半导体，以碳化硅(guī )和(hé )氮化镓为代表的宽禁(jìn )带半导体在材料端至(zhì )器(qì )件端的性能优势突(tū )出，具备高频、高效(xiào )、高(gāo )功(gōng )率、耐高压、耐高(gāo )温(wēn )等特点，是未来半(bàn )导(dǎo )体行业发展的重要(yào )方(fāng )向。其中，碳化硅的(de )高(gāo )禁带宽度、高击穿(chuān )电(diàn )场强度、高电子饱(bǎo )和漂移速率和高热导(dǎo )率等(děng )特(tè )性，使其在电力电(diàn )子(zǐ )器件等应用中发挥(huī )着(zhe )至关重要的作用。碳(tàn )化硅材料在功率半导(dǎo )体(tǐ )器件、射频半导体(tǐ )器件及新兴应用领域(yù )具有(yǒu )广(guǎng )阔的市场应用潜力(lì )。光大证券指出，随(suí )着(zhe )AI数据中心、AR眼镜等(děng )行(háng )业的增长，碳化硅行(háng )业(yè )将随之快速增长。国(guó )内碳化硅衬底企业(yè )持续投资扩张产能，有望(wàng )持(chí )续扩大市场份额。

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　　根据CFM闪存市场报(bào )道(dào )，现货旧制程DRAM资源(yuán )供(gòng )应缺货涨价延续，存(cún )储厂商针对渠道内存(cún )条、行业内存条及LPDDR4X等(děng )产(chǎn )品现货价格坚定持(chí )报涨态度。甬兴证券(quàn )研报(bào )称(chēng )，受益于供应端推(tuī )动(dòng )涨价、库存逐渐回(huí )归(guī )正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求(qiú )上升，产业链有望探(tàn )底(dǐ )回升。

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