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　　USGS数(shù )据显示，2024年(nián )全球(qiú )钴矿产量约为(wéi )28.8万金属吨，其中(zhōng )刚果(金)钴矿产(chǎn )量约为22万金(jīn )属吨，同比(bǐ )增长约25%，全球市场(chǎng )占比达到76.4%。国信证券研(yán )报(bào )称，若按照2024年的(de )产量作为依据(jù )，刚果(金)禁(jìn )止钴(gǔ )原料出口7个月(yuè )时间，至少(shǎo )将影响今年(nián )全球钴(gǔ )原料供应达(dá )10万金属吨以(yǐ )上，或将造成国内(nèi )钴原料供应(yīng )短缺的局面。从全年维度(dù )来看(kàn )，对钴价持乐(lè )观态度，预(yù )计国(guó )内电钴价格有(yǒu )望重回25万元(yuán )/吨上方运行(háng )。另外从长期来看(kàn )，刚果(金)可(kě )能实施钴出(chū )口(kǒu )配额(é )来提升对于(yú )钴的定价权，钴价中枢有(yǒu )望抬(tái )升。

　　这类(lèi )半导体材料(liào )性能优势突(tū )出，是(shì )未来行业发(fā )展的重要方(fāng )向

　　相较于硅基(jī )半导体，以(yǐ )碳化硅和氮化(huà )镓为代表的(de )宽禁(jìn )带半导体在材(cái )料端至器件(jiàn )端的(de )性能优势突出(chū )，具备高频(pín )、高效、高(gāo )功率、耐高压、耐(nài )高温等特点(diǎn )，是未来半(bàn )导(dǎo )体行(háng )业发展的重(chóng )要方向。其中(zhōng )，碳化硅的(de )高禁(jìn )带宽度、高击(jī )穿电场强度(dù )、高电子饱(bǎo )和漂移(yí )速率和高热(rè )导率等特性(xìng )，使其在电力电子(zǐ )器件等应用(yòng )中发挥着至关(guān )重要的作用(yòng )。碳(tàn )化硅材料在功(gōng )率半导体器(qì )件、射频半导体器(qì )件及新兴应(yīng )用领域具有(yǒu )广阔的市场应用潜(qián )力。光大证(zhèng )券指出，随着(zhe )AI数据(jù )中心、AR眼镜(jìng )等行业的增长(zhǎng )，碳化硅行(háng )业将(jiāng )随之快速增长(zhǎng )。国内碳化(huà )硅衬底企业(yè )持续投(tóu )资扩张产能(néng )，有望持续(xù )扩大市场份额。

　　智能算力(lì )规模的快速增(zēng )长直接催生(shēng )了对(duì )高效散热技术(shù )的迫切需求(qiú )。国(guó )泰海通证券表(biǎo )示，AI算力需(xū )求快速增长(zhǎng )，数据中心液冷有(yǒu )望加速发展(zhǎn )。随着AI应用快(kuài )速发(fā )展，算力密(mì )度提升，算力(lì )设备、数据(jù )中心(xīn )机柜对散热需(xū )求大幅增长(zhǎng )，液冷技术(shù )加速导(dǎo )入。国信证(zhèng )券认为，AI时(shí )代，算力芯片(piàn )功率(lǜ )持续提升，设备功率密度(dù )触及传统风(fēng )冷降(jiàng )温方式极限，液冷技术应(yīng )用大(dà )势所趋。当前(qián )阶段，液冷(lěng )应用主要采(cǎi )用冷板式技术；浸(jìn )没式方案是(shì )长期发展方向(xiàng )。同(tóng )时，国内PUE考(kǎo )核趋严，运营(yíng )商液冷白皮(pí )书规(guī )划有望进一步(bù )加速国内液(yè )冷应用。

　　上市公司中，先(xiān )导智能向某(mǒu )全球前列的电(diàn )池制(zhì )造企业成功(gōng )交付固态电池(chí )复合转印设(shè )备与(yǔ )叠片设备，此(cǐ )次交付是公(gōng )司继全球首条固态(tài )电池中试线(xiàn )后的又一里(lǐ )程碑。联赢激光高(gāo )度重视固态(tài )电池生产设备(bèi )的研发制造，已(yǐ )为包括头部电(diàn )池厂在内的(de )多家(jiā )客户提供了中(zhōng )试线和量产(chǎn )装配线。宁(níng )德时代是公司重要(yào )客户，公司(sī )为其包括固态(tài )电池(chí )在内的多种(zhǒng )产品生产线提(tí )供了设备。天铁(tiě )科技全资孙公(gōng )司安徽天铁(tiě )锂电新能源有限公(gōng )司生产的金(jīn )属锂可用于(yú )固态电池的负极材(cái )料。

　　相(xiàng )较于硅基半导(dǎo )体，以碳化硅和(hé )氮化镓为代表(biǎo )的宽禁带半(bàn )导体(tǐ )在材料端至器(qì )件端的性能(néng )优势突出，具备高频、高效、高功率、耐(nài )高压、耐高温(wēn )等特(tè )点，是未来(lái )半导体行业发(fā )展的重要方(fāng )向。其中，碳化硅(guī )的高禁带宽(kuān )度、高击穿电场强(qiáng )度、高电子(zǐ )饱和漂移速(sù )率和高热导率等特(tè )性，使其在(zài )电力电子器件(jiàn )等应用中发挥着(zhe )至关重要的作(zuò )用。碳化硅(guī )材料(liào )在功率半导体(tǐ )器件、射频(pín )半导体器件(jiàn )及新兴应用领域具(jù )有广阔的市(shì )场应用潜力。光大(dà )证券指出，随着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行(háng )业的(de )增长，碳化硅(guī )行业将随之(zhī )快速增长。国内碳(tàn )化硅衬底企(qǐ )业持续投资(zī )扩张产能，有望持(chí )续扩大市场(chǎng )份额。

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