A股稳赢要闻午评:沪指涨0.36%重回3500点,创指跌0.3%北证50跌1.03%,工农中建四大行续创新高!超3100股下跌,成交9344亿缩量347亿
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      产能释放叠(dié )加规模化效应,这类材料应用场景不断(duàn )拓展

      上(shàng )市公司中,中洲特材是(shì )核电公司的上游(yóu )供应商,生(shēng )产的阀门、焊材等产品(pǐn )已为中核、中广核、国(guó )核等核电设施配套。国光电(diàn )气在互动易(yì )表示超导材(cái )料作为磁约(yuē )束可控核聚(jù )变装置的一项关(guān )键材料,其(qí )进步将有力(lì )的推动磁约(yuē )束可控核聚(jù )变工程化进度。公司所研制的偏滤器、第一壁等产(chǎn )品是可控核(hé )聚变装置的(de )核心零部件。

      国泰海通(tōng )表示,政策(cè )加速推进,固态电池从(cóng )0到1。目前固(gù )态电池领域已形成“中央政(zhèng )策定调地方(fāng )试点推进”的立体化支(zhī )持体系,产(chǎn )业化进程有望加(jiā )速。根据EVTank预(yù )测,2030年全球(qiú )固态电池出(chū )货量将达到(dào )614.1GWh,市场规模超2500亿元。头部企业固态电池(chí )中试样品陆(lù )续落地,全(quán )固态电池有(yǒu )望迎来产品持续(xù )迭代。

      上市公司中(zhōng ),吉林化纤(xiān )表示,公司(sī )的碳纤维工(gōng )艺适合做树脂基的复合材料(liào ),具有多规(guī )格产品,可(kě )以应用到多(duō )领域。公司(sī )的碳纤维在无人(rén )机和汽车轻(qīng )量化方面均(jun1 )进行积极拓(tuò )展和合作,已经取得一定的效果。中复神鹰表示,依托神鹰西(xī )宁2.5万吨碳纤(xiān )维项目的全(quán )面投产,在连续(xù )两期工程的(de )技术锤炼和(hé )制造经验加(jiā )持下,目前(qián )已经具备成(chéng )熟掌握万吨碳纤维制造技术(shù )能力,是国(guó )内唯一一家(jiā )成熟掌握干(gàn )喷湿纺万吨(dūn )碳纤维产业化技(jì )术的企业。中简科技生(shēng )产的碳纤维(wéi )材料目前主(zhǔ )要用于航空航天领域,无人机是其中应(yīng )用方向之一(yī )。

      公司(sī )方面,德明(míng )利主营业务及技(jì )术布局主要(yào )集中于通用(yòng )型存储芯片(piàn )及解决方案(àn )的研发与产(chǎn )业化,包括但不限于DDR、LPDDR、SSD等(děng )产品方向。好上好目前(qián )销售的存储(chǔ )芯片主要有(yǒu )晶豪(ESMT)、复旦微、Giantec(聚辰)、GigaDevice (兆易(yì )创新)、Giantec(聚辰(chén ))、ISSI、江波龙(lóng )(Longsys)、Renesas-Adesto、芯天下(xià )(XTX)、得一微 (YEESTOR)等品牌的DRAM、eMMC、FLASH等存储器。

      市调机构集(jí )邦科技表示(shì ),三星持续(xù )减少DDR4供应,预期DDR4供不应求情(qíng )况可能延续(xù )到今年第3季(jì )度,随着DDR4价(jià )格上涨,将(jiāng )加速用户升级至DDR5。据集邦科技调查,DDR4现(xiàn )货价大幅扬(yáng )升,6月以来(lái )DDR4 8Gb颗粒现货均(jun1 )价自2.73美元,攀高(gāo )至4.28美元,上(shàng )涨逾5成;DDR4 16Gb颗(kē )粒现货均价(jià )自6.1美元,扬(yáng )升至9.5美元,涨幅也达5成以上。

      根据(jù )CFM闪存市场报(bào )道,现货旧(jiù )制程DRAM资源供(gòng )应缺货涨价延续,存储厂商(shāng )针对渠道内(nèi )存条、行业(yè )内存条及LPDDR4X等(děng )产品现货价(jià )格坚定持报涨态度。甬兴证券研报称,受益于供应(yīng )端推动涨价(jià )、库存逐渐(jiàn )回归正常、AI带动(dòng )HBM、SRAM、DDR5需求上(shàng )升,产业链(liàn )有望探底回(huí )升。

      产(chǎn )能释放叠加(jiā )规模化效应,这类材料应用(yòng )场景不断拓(tuò )展

      这类(lèi )半导体材料(liào )性能优势突出,是未来行业(yè )发展的重要(yào )方向

      相(xiàng )较于硅基半(bàn )导体,以碳(tàn )化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在(zài )材料端至器(qì )件端的性能(néng )优势突出,具备高频、高效(xiào )、高功率、耐高压、耐(nài )高温等特点(diǎn ),是未来半(bàn )导体行业发(fā )展的重要方向。其中,碳化(huà )硅的高禁带(dài )宽度、高击(jī )穿电场强度(dù )、高电子饱和漂移速率和高(gāo )热导率等特(tè )性,使其在(zài )电力电子器(qì )件等应用中(zhōng )发挥着至关重要的作用。碳化硅材料在(zài )功率半导体(tǐ )器件、射频(pín )半导体器件(jiàn )及新兴应用领域(yù )具有广阔的(de )市场应用潜(qián )力。光大证(zhèng )券指出,随(suí )着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行业的增长,碳化(huà )硅行业将随(suí )之快速增长(zhǎng )。国内碳化(huà )硅衬底企业持续投资扩张产(chǎn )能,有望持(chí )续扩大市场(chǎng )份额。

  • 强力的爱
  • 2025-12-30

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  上(shàng )市公司中,中洲特材是(shì )核电公司的上游(yóu )供应商,生(shēng )产的阀门、焊材等产品(pǐn )已为中核、中广核、国(guó )核等核电设施配套。国光电(diàn )气在互动易(yì )表示超导材(cái )料作为磁约(yuē )束可控核聚(jù )变装置的一项关(guān )键材料,其(qí )进步将有力(lì )的推动磁约(yuē )束可控核聚(jù )变工程化进度。公司所研制的偏滤器、第一壁等产(chǎn )品是可控核(hé )聚变装置的(de )核心零部件。

  国泰海通(tōng )表示,政策(cè )加速推进,固态电池从(cóng )0到1。目前固(gù )态电池领域已形成“中央政(zhèng )策定调地方(fāng )试点推进”的立体化支(zhī )持体系,产(chǎn )业化进程有望加(jiā )速。根据EVTank预(yù )测,2030年全球(qiú )固态电池出(chū )货量将达到(dào )614.1GWh,市场规模超2500亿元。头部企业固态电池(chí )中试样品陆(lù )续落地,全(quán )固态电池有(yǒu )望迎来产品持续(xù )迭代。

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  公司(sī )方面,德明(míng )利主营业务及技(jì )术布局主要(yào )集中于通用(yòng )型存储芯片(piàn )及解决方案(àn )的研发与产(chǎn )业化,包括但不限于DDR、LPDDR、SSD等(děng )产品方向。好上好目前(qián )销售的存储(chǔ )芯片主要有(yǒu )晶豪(ESMT)、复旦微、Giantec(聚辰)、GigaDevice (兆易(yì )创新)、Giantec(聚辰(chén ))、ISSI、江波龙(lóng )(Longsys)、Renesas-Adesto、芯天下(xià )(XTX)、得一微 (YEESTOR)等品牌的DRAM、eMMC、FLASH等存储器。

  市调机构集(jí )邦科技表示(shì ),三星持续(xù )减少DDR4供应,预期DDR4供不应求情(qíng )况可能延续(xù )到今年第3季(jì )度,随着DDR4价(jià )格上涨,将(jiāng )加速用户升级至DDR5。据集邦科技调查,DDR4现(xiàn )货价大幅扬(yáng )升,6月以来(lái )DDR4 8Gb颗粒现货均(jun1 )价自2.73美元,攀高(gāo )至4.28美元,上(shàng )涨逾5成;DDR4 16Gb颗(kē )粒现货均价(jià )自6.1美元,扬(yáng )升至9.5美元,涨幅也达5成以上。

  根据(jù )CFM闪存市场报(bào )道,现货旧(jiù )制程DRAM资源供(gòng )应缺货涨价延续,存储厂商(shāng )针对渠道内(nèi )存条、行业(yè )内存条及LPDDR4X等(děng )产品现货价(jià )格坚定持报涨态度。甬兴证券研报称,受益于供应(yīng )端推动涨价(jià )、库存逐渐(jiàn )回归正常、AI带动(dòng )HBM、SRAM、DDR5需求上(shàng )升,产业链(liàn )有望探底回(huí )升。

  产(chǎn )能释放叠加(jiā )规模化效应,这类材料应用(yòng )场景不断拓(tuò )展

  这类(lèi )半导体材料(liào )性能优势突出,是未来行业(yè )发展的重要(yào )方向

  相(xiàng )较于硅基半(bàn )导体,以碳(tàn )化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在(zài )材料端至器(qì )件端的性能(néng )优势突出,具备高频、高效(xiào )、高功率、耐高压、耐(nài )高温等特点(diǎn ),是未来半(bàn )导体行业发(fā )展的重要方向。其中,碳化(huà )硅的高禁带(dài )宽度、高击(jī )穿电场强度(dù )、高电子饱和漂移速率和高(gāo )热导率等特(tè )性,使其在(zài )电力电子器(qì )件等应用中(zhōng )发挥着至关重要的作用。碳化硅材料在(zài )功率半导体(tǐ )器件、射频(pín )半导体器件(jiàn )及新兴应用领域(yù )具有广阔的(de )市场应用潜(qián )力。光大证(zhèng )券指出,随(suí )着AI数据中心(xīn )、AR眼镜等行业的增长,碳化(huà )硅行业将随(suí )之快速增长(zhǎng )。国内碳化(huà )硅衬底企业持续投资扩张产(chǎn )能,有望持(chí )续扩大市场(chǎng )份额。

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