震有科技拟不超10.7亿定增 上市5年募7.9亿分红0.13亿
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      相较于硅基半导体,以碳化(huà )硅和(hé )氮化镓为(wéi )代表(biǎo )的宽(kuān )禁带半导体在材料端至器件端的性(xìng )能优(yōu )势突出,具备(bèi )高频(pín )、高效、高功率、耐高压、耐(nài )高温(wēn )等特点,是未(wèi )来半(bàn )导体(tǐ )行业发展的重要方向。其中,碳化(huà )硅的高禁(jìn )带宽(kuān )度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移(yí )速率(lǜ )和高热导(dǎo )率等(děng )特性(xìng ),使其在电力电子器件等应用中发(fā )挥着(zhe )至关重要(yào )的作(zuò )用。碳化硅材料在功率半导体器件、射(shè )频半(bàn )导体器件(jiàn )及新(xīn )兴应(yīng )用领域具有广阔的市场应用潜力。光大证券指出(chū ),随(suí )着AI数(shù )据中心、AR眼镜等行业的增长,碳化(huà )硅行业将(jiāng )随之(zhī )快速(sù )增长。国内碳化硅衬底企业持续投(tóu )资扩(kuò )张产能,有望(wàng )持续(xù )扩大市场份额。

      这类半导体材(cái )料性(xìng )能优势突(tū )出,是未(wèi )来行业发展的重要方向

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      这类半导体材料性能优势突出(chū ),是(shì )未来行业(yè )发展(zhǎn )的重(chóng )要方向

      机构称政策加速推进下(xià )固态(tài )电池正进(jìn )入从(cóng )0到1阶(jiē )段

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  • 2025-12-26

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