稳赢要闻午评:三大指数上涨 元件板块走强
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      国轩高(gāo )科:金(jīn )石全固态电池PACK系统已开启装车(chē )路测

      媒体(tǐ )报道,近日,半导体(tǐ )个股密(mì )集获连(lián )续上调(diào )评级。据统计,截至6月18日,在评级机(jī )构家数(shù )5家及以(yǐ )上的个(gè )股中,以机构(gòu )一致评(píng )级连续(xù )3个月环比提升,最新评级较3个月前提升幅度超6%为条件进行(háng )统计,21股浮出(chū )水面。从21只潜(qián )力股所(suǒ )处行业(yè )分布来(lái )看,半(bàn )导体行业个股相对较多,盛科(kē )通信-U、清溢光(guāng )电、思(sī )瑞浦、汇顶科(kē )技机构(gòu )一致评(píng )级连续(xù )3个月环比提升且最新一致评级较3月前(qián )提升幅(fú )度超6%。

      根(gēn )据高工(gōng )锂电,2025年1-4月,国内固态电池行业的扩产规划规模超过50GWh,拟投资总额约150亿元。申(shēn )万宏源(yuán )证券电(diàn )新团队(duì )认为,考虑到(dào )目前国(guó )内首条(tiáo )0.1GWh干法电极产线已正式投入运营,同时(shí )行业内(nèi )诸多厂(chǎng )商纷纷(fēn )聚焦硫(liú )化物技(jì )术路线(xiàn ),看好(hǎo )干法设备和硫化物电解质是全固态电(diàn )池的核(hé )心增量(liàng )。

      上市公(gōng )司中,天岳先(xiān )进碳化(huà )硅衬底可广泛应用于电动汽车、AI数据中心、光伏系统、AI眼镜、轨(guǐ )道交通(tōng )、电网(wǎng )、家电(diàn )及先进(jìn )通信基(jī )站等领(lǐng )域。公(gōng )司已跻身为国际知名半导体公司的重(chóng )要供应(yīng )商,公(gōng )司的产(chǎn )品亦在(zài )国际上(shàng )获得广(guǎng )泛认可(kě )。芯联集成8英寸碳化硅产线顺利推进(jìn )中,相(xiàng )关产品(pǐn )已陆续(xù )通过相(xiàng )关验证(zhèng ),预计(jì )下半年(nián )开始量产。英诺激光依托固体及超快激光器优势,主要布局消费(fèi )电子、3D打印、生物医(yī )疗、光(guāng )伏、Micro LED、半导体(tǐ )等行业(yè )。在半导体领域提供的主要产品为碳(tàn )化硅退(tuì )火制程(chéng )的激光(guāng )器,客(kè )户以国(guó )外知名(míng )半导体(tǐ )装备公司为主。

      市调机构集邦科(kē )技表示(shì ),三星(xīng )持续减(jiǎn )少DDR4供应(yīng ),预期(qī )DDR4供不应(yīng )求情况(kuàng )可能延续到今年第3季度,随着DDR4价格上涨,将加速用户升级至DDR5。据(jù )集邦科(kē )技调查(chá ),DDR4现货(huò )价大幅(fú )扬升,6月以来(lái )DDR4 8Gb颗粒现(xiàn )货均价自2.73美元,攀高至4.28美元,上涨逾(yú )5成;DDR4 16Gb颗(kē )粒现货(huò )均价自(zì )6.1美元,扬升至(zhì )9.5美元,涨幅也(yě )达5成以上。

      三星SDI正在考虑将干法(fǎ )电极技(jì )术应用(yòng )于全固(gù )态电池(chí )

      根(gēn )据高工(gōng )锂电,2025年1-4月,国内固态电池行业的扩产规划规模超过50GWh,拟投资总额约150亿(yì )元。申(shēn )万宏源(yuán )证券电(diàn )新团队(duì )认为,考虑到(dào )目前国(guó )内首条0.1GWh干法电极产线已正式投入运营(yíng ),同时(shí )行业内(nèi )诸多厂(chǎng )商纷纷(fēn )聚焦硫(liú )化物技(jì )术路线(xiàn ),看好干法设备和硫化物电解质是全(quán )固态电(diàn )池的核(hé )心增量(liàng )。

      相较于(yú )硅基半(bàn )导体,以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性(xìng )能优势(shì )突出,具备高(gāo )频、高(gāo )效、高(gāo )功率、耐高压(yā )、耐高温等特点,是未来半导体行业(yè )发展的(de )重要方(fāng )向。其(qí )中,碳(tàn )化硅的(de )高禁带(dài )宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速(sù )率和高(gāo )热导率(lǜ )等特性(xìng ),使其(qí )在电力(lì )电子器(qì )件等应(yīng )用中发挥着至关重要的作用。碳化硅材料在功率半导体器件、射(shè )频半导(dǎo )体器件(jiàn )及新兴(xìng )应用领(lǐng )域具有(yǒu )广阔的(de )市场应(yīng )用潜力。光大证券指出,随着AI数据中(zhōng )心、AR眼(yǎn )镜等行(háng )业的增(zēng )长,碳(tàn )化硅行(háng )业将随(suí )之快速(sù )增长。国内碳化硅衬底企业持续投资(zī )扩张产(chǎn )能,有(yǒu )望持续(xù )扩大市(shì )场份额(é )。

      得益于(yú )政策利好与技术突破的双轮驱动,未来3年至5年,脑机接口医疗产(chǎn )品有望(wàng )迎来爆(bào )发期。太平洋(yáng )证券分(fèn )析指出(chū ),脑机(jī )接口技术近年来从实验室研究大步迈(mài )向市场(chǎng )应用,展现出(chū )蓬勃发(fā )展态势(shì )。当下(xià ),侵入(rù )式和非侵入式产品研发均有序推进。尽管该(gāi )技术仍(réng )处于早(zǎo )期发展(zhǎn )阶段,但研发(fā )和应用(yòng )潜力巨大;随着技术的迭代和伦理规范的健全完善,脑机接口有(yǒu )望让科(kē )技之光(guāng )加速照(zhào )进现实(shí )。

  • 日韩舞玛
  • 2026-01-12

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  根(gēn )据高工(gōng )锂电,2025年1-4月,国内固态电池行业的扩产规划规模超过50GWh,拟投资总额约150亿元。申(shēn )万宏源(yuán )证券电(diàn )新团队(duì )认为,考虑到(dào )目前国(guó )内首条(tiáo )0.1GWh干法电极产线已正式投入运营,同时(shí )行业内(nèi )诸多厂(chǎng )商纷纷(fēn )聚焦硫(liú )化物技(jì )术路线(xiàn ),看好(hǎo )干法设备和硫化物电解质是全固态电(diàn )池的核(hé )心增量(liàng )。

  上市公(gōng )司中,天岳先(xiān )进碳化(huà )硅衬底可广泛应用于电动汽车、AI数据中心、光伏系统、AI眼镜、轨(guǐ )道交通(tōng )、电网(wǎng )、家电(diàn )及先进(jìn )通信基(jī )站等领(lǐng )域。公(gōng )司已跻身为国际知名半导体公司的重(chóng )要供应(yīng )商,公(gōng )司的产(chǎn )品亦在(zài )国际上(shàng )获得广(guǎng )泛认可(kě )。芯联集成8英寸碳化硅产线顺利推进(jìn )中,相(xiàng )关产品(pǐn )已陆续(xù )通过相(xiàng )关验证(zhèng ),预计(jì )下半年(nián )开始量产。英诺激光依托固体及超快激光器优势,主要布局消费(fèi )电子、3D打印、生物医(yī )疗、光(guāng )伏、Micro LED、半导体(tǐ )等行业(yè )。在半导体领域提供的主要产品为碳(tàn )化硅退(tuì )火制程(chéng )的激光(guāng )器,客(kè )户以国(guó )外知名(míng )半导体(tǐ )装备公司为主。

  市调机构集邦科(kē )技表示(shì ),三星(xīng )持续减(jiǎn )少DDR4供应(yīng ),预期(qī )DDR4供不应(yīng )求情况(kuàng )可能延续到今年第3季度,随着DDR4价格上涨,将加速用户升级至DDR5。据(jù )集邦科(kē )技调查(chá ),DDR4现货(huò )价大幅(fú )扬升,6月以来(lái )DDR4 8Gb颗粒现(xiàn )货均价自2.73美元,攀高至4.28美元,上涨逾(yú )5成;DDR4 16Gb颗(kē )粒现货(huò )均价自(zì )6.1美元,扬升至(zhì )9.5美元,涨幅也(yě )达5成以上。

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  根(gēn )据高工(gōng )锂电,2025年1-4月,国内固态电池行业的扩产规划规模超过50GWh,拟投资总额约150亿(yì )元。申(shēn )万宏源(yuán )证券电(diàn )新团队(duì )认为,考虑到(dào )目前国(guó )内首条0.1GWh干法电极产线已正式投入运营(yíng ),同时(shí )行业内(nèi )诸多厂(chǎng )商纷纷(fēn )聚焦硫(liú )化物技(jì )术路线(xiàn ),看好干法设备和硫化物电解质是全(quán )固态电(diàn )池的核(hé )心增量(liàng )。

  相较于(yú )硅基半(bàn )导体,以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体在材料端至器件端的性(xìng )能优势(shì )突出,具备高(gāo )频、高(gāo )效、高(gāo )功率、耐高压(yā )、耐高温等特点,是未来半导体行业(yè )发展的(de )重要方(fāng )向。其(qí )中,碳(tàn )化硅的(de )高禁带(dài )宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速(sù )率和高(gāo )热导率(lǜ )等特性(xìng ),使其(qí )在电力(lì )电子器(qì )件等应(yīng )用中发挥着至关重要的作用。碳化硅材料在功率半导体器件、射(shè )频半导(dǎo )体器件(jiàn )及新兴(xìng )应用领(lǐng )域具有(yǒu )广阔的(de )市场应(yīng )用潜力。光大证券指出,随着AI数据中(zhōng )心、AR眼(yǎn )镜等行(háng )业的增(zēng )长,碳(tàn )化硅行(háng )业将随(suí )之快速(sù )增长。国内碳化硅衬底企业持续投资(zī )扩张产(chǎn )能,有(yǒu )望持续(xù )扩大市(shì )场份额(é )。

  得益于(yú )政策利好与技术突破的双轮驱动,未来3年至5年,脑机接口医疗产(chǎn )品有望(wàng )迎来爆(bào )发期。太平洋(yáng )证券分(fèn )析指出(chū ),脑机(jī )接口技术近年来从实验室研究大步迈(mài )向市场(chǎng )应用,展现出(chū )蓬勃发(fā )展态势(shì )。当下(xià ),侵入(rù )式和非侵入式产品研发均有序推进。尽管该(gāi )技术仍(réng )处于早(zǎo )期发展(zhǎn )阶段,但研发(fā )和应用(yòng )潜力巨大;随着技术的迭代和伦理规范的健全完善,脑机接口有(yǒu )望让科(kē )技之光(guāng )加速照(zhào )进现实(shí )。

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