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　　国轩高科(kē )表(biǎo )示(shì )，公司首条全固态中试(shì )线(xiàn )已正式贯通，金石全固态(tài )电(diàn )池PACK系统已完成初步开发应用(yòng )工作，并开启装车路测。并(bìng )且(qiě )，近期清陶在成都基地15GWh固(gù )态(tài )电(diàn )池已收到环评审批意见，此(cǐ )外，德尔股份及冠盛股份(fèn )等(děng )均(jun1 )有固态电池量产线推进(jìn )计(jì )划(huá )。

　　上海证券研报指(zhǐ )出(chū )，2025年4月全球半导体销售额实(shí )现(xiàn )同(tóng )比环比双增长；SIA总裁兼(jiān )首(shǒu )席执行官JohnNeuffer表示：“4月份的(de )全(quán )球半导体销售额在2025年首次出(chū )现环比增长，在美洲和亚太(tài )地区(qū )销售额增加的推动下，全(quán )球(qiú )市场继续实现同比增长。与(yǔ )此同时，在对人工智能、云(yún )基(jī )础设施和先进消费电子(zǐ )产(chǎn )品(pǐn )的需求推动下，新的WSTS行(háng )业(yè )预(yù )测表明，2025年全球市场将稳(wěn )步(bù )增(zēng )长。”上海证券认为，电(diàn )子半导体2025年或正在迎来全(quán )面(miàn )复苏，产业竞争格局有望加(jiā )速出清修复，产业盈利周期(qī )和相(xiàng )关公司利润有望持续复(fù )苏(sū )。

　　市调机构集邦科技表(biǎo )示(shì )，三星持续减少DDR4供应，预(yù )期(qī )DDR4供(gòng )不应求情况可能延续到(dào )今(jīn )年(nián )第3季度，随着DDR4价格上涨(zhǎng )，将(jiāng )加速用户升级至DDR5。据集邦(bāng )科(kē )技(jì )调查，DDR4现货价大幅扬升(shēng )，6月(yuè )以来DDR4 8Gb颗粒现货均价自2.73美(měi )元(yuán )，攀高至4.28美元，上涨逾5成；DDR4 16Gb颗粒现货均价自6.1美元，扬升(shēng )至9.5美(měi )元，涨幅也达5成以上。

　　机构称政策加速推进下固(gù )态(tài )电池正进入从0到1阶段

　　阿(ā )里(lǐ )云将于本月底在韩国启(qǐ )用(yòng )第(dì )二座数据中心，来满足(zú )生(shēng )成(chéng )式AI快速发展带来的需求增(zēng )长(zhǎng )。

　　产能释放叠加规模(mó )化(huà )效(xiào )应，这类材料应用场景(jǐng )不(bú )断拓展

　　得益于政策利好(hǎo )与技术突破的双轮驱动，未(wèi )来3年(nián )至5年，脑机接口医疗产(chǎn )品(pǐn )有(yǒu )望迎来爆发期。太平洋证(zhèng )券(quàn )分析指出，脑机接口技术(shù )近(jìn )年(nián )来从实验室研究大步迈(mài )向(xiàng )市(shì )场应用，展现出蓬勃发(fā )展(zhǎn )态(tài )势。当下，侵入式和非侵(qīn )入(rù )式(shì )产品研发均有序推进。尽(jìn )管(guǎn )该技术仍处于早期发展(zhǎn )阶(jiē )段，但研发和应用潜力巨大(dà )；随着技术的迭代和伦理规(guī )范的(de )健全完善，脑机接口有(yǒu )望(wàng )让(ràng )科技之光加速照进现实。

　　近期，科创板连续受理(lǐ )3家(jiā )公(gōng )司，支持鼓励鼓励“硬(yìng )科(kē )技(jì )”企业。高温超导材料(liào )正(zhèng )是(shì )当前新材料产业的前沿方(fāng )向(xiàng )，而基于超导磁体的磁约(yuē )束(shù )聚(jù )变技术最具工程化潜力(lì )。上半年来，我国可控核聚变(biàn )领域进展不断。华泰证券发(fā )布研(yán )报称，可控核聚变正从(cóng )短(duǎn )期(qī )主题投资变成长期产业投(tóu )资(zī )，预计未来几年全球每年(nián )有(yǒu )约(yuē )2~3个核聚变装置建设投产(chǎn )，行(háng )业加速从0到1，产业链招(zhāo )标(biāo )和(hé )订单有望迎来持续催化。

　　相较于硅基半导体，以(yǐ )碳(tàn )化(huà )硅和氮化镓为代表的宽(kuān )禁(jìn )带半导体在材料端至器件端(duān )的性能优势突出，具备高频(pín )、高(gāo )效、高功率、耐高压、耐(nài )高(gāo )温等特点，是未来半导体(tǐ )行(háng )业发展的重要方向。其中(zhōng )，碳(tàn )化硅的高禁带宽度、高(gāo )击(jī )穿(chuān )电场强度、高电子饱和(hé )漂(piāo )移(yí )速率和高热导率等特性，使(shǐ )其(qí )在电力电子器件等应用(yòng )中(zhōng )发(fā )挥着至关重要的作用。碳(tàn )化硅材料在功率半导体器件(jiàn )、射频半导体器件及新兴应(yīng )用领(lǐng )域具有广阔的市场应用(yòng )潜(qián )力(lì )。光大证券指出，随着AI数(shù )据(jù )中心、AR眼镜等行业的增长(zhǎng )，碳化硅行业将随之快速增(zēng )长(zhǎng )。国内碳化硅衬底企业持(chí )续(xù )投(tóu )资扩张产能，有望持续扩(kuò )大(dà )市场份额。

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