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　　上(shàng )市公司中，英联股份依托蒸(zhēng )镀工艺，开(kāi )发应用于固(gù )态电池的锂(lǐ )金属/复合集流体(tǐ )负极一体化(huà )材料，蒸镀(dù )工艺可将锂(lǐ )带厚度降薄(báo )，均匀形成(chéng )锂金属，且(qiě )可蒸镀掺杂改善(shàn )电池循环。赢合科技6月(yuè )16日在官微透(tòu )露，近日已(yǐ )向国内某头部电(diàn )池企业发货(huò )的一批核心(xīn )固态电池设(shè )备——固态(tài )湿法(fǎ )涂布设(shè )备、固态辊(gǔn )压设备及固态电(diàn )解质转印设(shè )备，标志着(zhe )双方在固态(tài )电池制造工艺与(yǔ )装备协同创(chuàng )新上取得实(shí )质性进展。

　　上市公(gōng )司中，赢合(hé )科技已经研(yán )发并推出了全新(xīn )的固态干法(fǎ )电极生产设(shè )备，这些设(shè )备已经成功(gōng )发货并部署到客(kè )户的现场。科力远配合(hé )下游生产合(hé )作商开展干(gàn )发电(diàn )极的技(jì )术开发，目(mù )前干法电极的开(kāi )发工作已完(wán )成阶段性的(de )成功，将配(pèi )合下游生产合作(zuò )商推进下一(yī )步的实验工(gōng )作。宏工科(kē )技与深圳清(qīng )研电子科技(jì )有限公司达(dá )成战略合作，对(duì )“干法电极(jí )”前段工序(xù )技术进行产(chǎn )业化、规模(mó )化攻关，专注于(yú )核心部件的(de )生产工艺和(hé )成(台)套设备(bèi )的协同研发(fā )，共(gòng )同推进(jìn )干法电极前(qián )段工序的研发与(yǔ )市场应用。固态电池被(bèi )视为最具潜(qián )力的下一代锂电(diàn )池技术，2024年(nián )公司与多家(jiā )客户签订了(le )数千万元的(de )产线及设备(bèi )订单。

　　上市公司中，中(zhōng )洲特材是核(hé )电公司的上(shàng )游供应商，生产的阀门(mén )、焊材等产品已(yǐ )为中核、中(zhōng )广核、国核(hé )等核电设施(shī )配套。国光(guāng )电气在互动(dòng )易表示超导(dǎo )材料作为磁约束(shù )可控核聚变(biàn )装置的一项(xiàng )关键材料，其进步将有力的(de )推动磁约束(shù )可控核聚变(biàn )工程化进度(dù )。公司所研(yán )制的偏滤器(qì )、第一壁等(děng )产品是可控核聚(jù )变装置的核(hé )心零部件。

　　产能释(shì )放叠加规模(mó )化效应，这类材(cái )料应用场景(jǐng )不断拓展

　　市调机构(gòu )集邦科技表(biǎo )示，三星持(chí )续减少DDR4供应(yīng )，预期DDR4供不应求(qiú )情况可能延(yán )续到今年第(dì )3季度，随着(zhe )DDR4价格上涨，将加(jiā )速用户升级(jí )至DDR5。据集邦(bāng )科技调查，DDR4现货价大幅(fú )扬升，6月以(yǐ )来DDR4 8Gb颗粒现货(huò )均价自2.73美元，攀(pān )高至4.28美元，上涨逾5成；DDR4 16Gb颗粒现货均(jun1 )价自6.1美元，扬升至9.5美元，涨(zhǎng )幅也达5成以(yǐ )上。

　　媒(méi )体报道，近(jìn )日，半导体(tǐ )个股密集获(huò )连续上调评级。据统计，截(jié )至6月18日，在(zài )评级机构家(jiā )数5家及以上(shàng )的个股中，以机(jī )构一致评级(jí )连续3个月环(huán )比提升，最(zuì )新评级较3个(gè )月前提升幅(fú )度超6%为条件(jiàn )进行统计，21股浮(fú )出水面。从(cóng )21只潜力股所(suǒ )处行业分布(bù )来看，半导体行业个股相对(duì )较多，盛科(kē )通信-U、清溢(yì )光电、思瑞(ruì )浦、汇顶科(kē )技机构一致(zhì )评级连续3个月环比提升且最(zuì )新一致评级(jí )较3月前提升(shēng )幅度超6%。

　　根据CFM闪存市场(chǎng )报道，现货(huò )旧制程DRAM资源(yuán )供应缺货涨(zhǎng )价延续，存(cún )储厂商针对(duì )渠道内存条(tiáo )、行业内存条及(jí )LPDDR4X等产品现货(huò )价格坚定持(chí )报涨态度。甬兴证券研报称，受益于供(gòng )应端推动涨(zhǎng )价、库存逐(zhú )渐回归正常(cháng )、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。

　　得益于政策(cè )利好与技术(shù )突破的双轮(lún )驱动，未来3年至(zhì )5年，脑机接(jiē )口医疗产品(pǐn )有望迎来爆(bào )发期。太平(píng )洋证券分析(xī )指出，脑机(jī )接口技术近年来(lái )从实验室研(yán )究大步迈向(xiàng )市场应用，展现出蓬勃发展态势。当下(xià )，侵入式和(hé )非侵入式产(chǎn )品研发均有(yǒu )序推进。尽(jìn )管该技术仍(réng )处于早期发展阶段，但研发(fā )和应用潜力(lì )巨大；随着(zhe )技术的迭代(dài )和伦理规范的健(jiàn )全完善，脑(nǎo )机接口有望(wàng )让科技之光(guāng )加速照进现(xiàn )实。

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