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　　上(shàng )海(hǎi )证券研报指出，2025年4月(yuè )全(quán )球半导体销售额实(shí )现(xiàn )同比环比双增长；SIA总(zǒng )裁(cái )兼首席执行官JohnNeuffer表示(shì )：“4月份的全球半导(dǎo )体(tǐ )销(xiāo )售额在2025年首次出现(xiàn )环(huán )比增长，在美洲和(hé )亚(yà )太地区销售额增加的推(tuī )动下，全球市场继(jì )续(xù )实(shí )现同比增长。与此(cǐ )同(tóng )时，在对人工智能(néng )、云基础设施和先进消(xiāo )费(fèi )电子产品的需求推(tuī )动(dòng )下，新的WSTS行业预测表(biǎo )明(míng )，2025年全球市场将稳(wěn )步(bù )增长。”上海证券(quàn )认(rèn )为(wéi )，电子半导体2025年或(huò )正在迎来全面复苏，产(chǎn )业(yè )竞争格局有望加速(sù )出(chū )清修复，产业盈利(lì )周(zhōu )期和相关公司利润有望(wàng )持续复苏。

　　据(jù )媒(méi )体(tǐ )报道，近日，全球(qiú )首(shǒu )例介入式脑机接口(kǒu )辅(fǔ )助人体患肢运动功能(néng )修(xiū )复试验在我国完成(chéng )，成功帮助一名偏瘫患(huàn )者(zhě )实现运动功能修复(fù )。该研究由南开大学(xué )段(duàn )峰(fēng )教授团队牵头，联(lián )合福建三博脑科医院(yuàn )教(jiāo )授(shòu )林志雄、福建省第(dì )二(èr )人民医院教授吴成(chéng )翰(hàn )，在三博脑科医院福建(jiàn )院区完成试验。据(jù )悉(xī )，自受试者大脑血管(guǎn )内(nèi )导入介入式脑机接(jiē )口(kǒu )设备以来，术后未出(chū )现(xiàn )感染、血栓形成等(děng )情(qíng )况，系统运行稳定，实(shí )现了脑电信号的精(jīng )准(zhǔn )采集与交互控制。

　　这类半导体材料性能优势突出，是未来(lái )行(háng )业(yè )发展的重要方向

　　三星SDI正在考虑将干(gàn )法(fǎ )电极技术应用于全固态(tài )电池

　　根据CFM闪存(cún )市(shì )场报道，现货旧制程(chéng )DRAM资(zī )源供应缺货涨价延(yán )续(xù )，存储厂商针对渠道(dào )内(nèi )存条、行业内存条(tiáo )及LPDDR4X等产品现货价格坚定(dìng )持(chí )报涨态度。甬兴证(zhèng )券(quàn )研报称，受益于供(gòng )应(yīng )端(duān )推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需(xū )求上升，产业链有(yǒu )望(wàng )探底回升。

　　国(guó )轩(xuān )高科：金石全固态电池(chí )PACK系统已开启装车路(lù )测(cè )

　　市调机构集邦科(kē )技(jì )表示，三星持续减(jiǎn )少(shǎo )DDR4供应，预期DDR4供不应求(qiú )情(qíng )况可能延续到今年(nián )第3季度，随着DDR4价格上涨(zhǎng )，将加速用户升级至(zhì )DDR5。据集邦科技调查，DDR4现(xiàn )货价大幅扬升，6月以来DDR4 8Gb颗粒现货均价自2.73美(měi )元(yuán )，攀高至4.28美元，上涨(zhǎng )逾(yú )5成；DDR4 16Gb颗粒现货均价(jià )自(zì )6.1美元，扬升至9.5美元，涨(zhǎng )幅也达5成以上。

　　公司方面，德明利主(zhǔ )营(yíng )业务及技术布局主(zhǔ )要(yào )集中于通用型存储芯(xīn )片(piàn )及解决方案的研发(fā )与产业化，包括但不限(xiàn )于(yú )DDR、LPDDR、SSD等产品方向。好(hǎo )上好目前销售的存(cún )储(chǔ )芯片主要有晶豪(ESMT)、复旦微、Giantec(聚辰)、GigaDevice (兆易创(chuàng )新(xīn ))、Giantec(聚辰)、ISSI、江波龙(Longsys)、Renesas-Adesto、芯天下(XTX)、得一微 (YEESTOR)等(děng )品(pǐn )牌的DRAM、eMMC、FLASH等存储器。

　　相较于硅基半导(dǎo )体(tǐ )，以碳化硅和氮化镓(jiā )为(wéi )代表的宽禁带半导(dǎo )体(tǐ )在材料端至器件端的(de )性(xìng )能优势突出，具备(bèi )高频、高效、高功率、耐(nài )高压、耐高温等特(tè )点(diǎn )，是未来半导体行(háng )业(yè )发展的重要方向。其中，碳化硅的高禁带(dài )宽(kuān )度(dù )、高击穿电场强度(dù )、高电子饱和漂移速(sù )率(lǜ )和高热导率等特性，使(shǐ )其在电力电子器件(jiàn )等(děng )应用中发挥着至关重(chóng )要(yào )的作用。碳化硅材(cái )料(liào )在功率半导体器件、射(shè )频半导体器件及新(xīn )兴应用领域具有广阔的(de )市(shì )场应用潜力。光大(dà )证(zhèng )券指出，随着AI数据(jù )中(zhōng )心、AR眼镜等行业的增长，碳化硅行业将随(suí )之(zhī )快(kuài )速增长。国内碳化(huà )硅(guī )衬底企业持续投资(zī )扩(kuò )张产能，有望持续扩大(dà )市场份额。

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